[实用新型]半导体器件的结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一半导体区，形成为位于所述半导体衬底上的掺杂区；

漂移区，形成为在所述第一半导体区内并位于所述半导体衬底上的第一导电类型的第一掺杂区，所述漂移区具有第一掺杂浓度；

第一漏极区，在所述漂移区内形成为所述第一导电类型的第二掺杂区，所述第一漏极区具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；

在所述第一漏极区内的所述第一导电类型的第二漏极区，所述第二漏极区具有大于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度；

在所述第一半导体区中的第二导电类型的体区，横向地间隔远离所述漂移区；

在所述体区中的所述第一导电类型的源极区；以及

第二导电类型的埋置区，所述埋置区位于所述源极区、所述体区的至少一部分以及所述漂移区的至少一部分之下，但不位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三掺杂浓度不小于1E18原子/立方厘米，以及所述第二掺杂浓度为1E17原子/立方厘米至1E19原子/立方厘米。

3.根据权利要求1所述的半导体器件进一步包括：从所述第一半导体区的表面延伸到所述半导体器件中第一距离的场绝缘体，其中所述第一漏极区延伸到所述半导体器件中不大于所述第一距离。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述埋置区具有基本上不小于所述第一掺杂浓度以及基本上类似于所述漂移区的掺杂浓度的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件没有位于所述埋置区之下以及物理地和电气地接触所述埋置区的另一个掺杂区。

6.一种半导体器件，包括：

位于块状半导体衬底上的半导体区；

在所述半导体区中的第一导电类型的埋置区；

在所述半导体区中并位于所述埋置区的第一部分上的所述第一导电类型的体区；

在所述半导体区中并被间隔远离所述体区的第二导电类型的漂移区，包括形成所述漂移区的至少一部分位于所述埋置区的第二部分上；以及

在所述漂移区中的所述第二导电类型的第一漏极区，其中所述第一漏极区没有位于所述埋置区上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述半导体区包括在所述半导体区的表面上并延伸到所述半导体区中第一距离的场绝缘体，以及其中所述第一漏极区在所述场绝缘体的开口中并延伸到所述半导体区中不大于所述第一距离。

8.一种半导体器件，包括：

位于块状半导体衬底上的半导体区；

在所述半导体区中的第一导电类型的埋置区；

在所述半导体区中的第二导电类型的漂移区，所述漂移区的至少一部分位于所述埋置区的第一部分上；以及

在所述漂移区中的所述第二导电类型的第一漏极区，其中所述第一漏极区没有位于所述埋置区上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括在所述第一漏极区中的第二漏极区，其中所述第二漏极区没有位于所述埋置区上。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括：所述第一漏极区延伸到所述半导体区中以下距离，所述距离不大于邻近所述第一漏极区形成的场绝缘体的深度。