[实用新型]光伏电池背面激光开槽图形结构有效
申请号: | 201520092909.4 | 申请日: | 2015-02-09 |
公开(公告)号: | CN204391125U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 董建文;李慧 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 背面 激光 开槽 图形 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏电池背面激光开槽图形结构。
背景技术
目前,为提高太阳能电池的光电转化效率,目前的太阳能电池通过在背面采用化学沉积的方式在背面形成一层钝化膜,可有效提高电池的长波响应,减少背面复合速率。由于背钝化电池采用的背电极银浆及背电场铝浆对钝化膜没有破坏作用,在提高电池效率的同时,导致背电场与背电极不能直接与硅片接触。
为了使背面形成一定接触,背面通过激光去除局部钝化膜,使背面浆料与电池片形成良好的接触,有利于电流的导出、收集。由于背面激光开槽,铝背电场能与硅片形成良好的接触,同时背电场脱落问题基本能得到解决。但是背电极部分开槽面积较小,组件焊接后很容易出现拉托力不合格、电极脱落问题,严重会影响组件的可靠性。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种光伏电池背面激光开槽图形结构,它在不影响电池转化效率的前提下,改善背电极与硅片的接触,增强背电极的附着力,降低背电极脱落风险,同时背电极局部区域形成合金区域,提高背电极的拉托力。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种光伏电池背面激光开槽图形结构,它包括图形主体,图形主体具有:
多条相互平行的开膜线段或虚线段;
多个附着力增强部分,所述附着力增强部分具有用于附着硅基体的开膜区域和用于附着钝化膜的非开膜区域,并且开膜区域和非开膜区域呈间隔排列状。
开膜线段或虚线段和附着力增强部分呈相互垂直状。
进一步提供了一种具体的附着力增强部分在图形主体的布置结构,所述附着力增强部分均匀地设置在图形主体上,呈阵列分布,行数为3~10行,列数为3~10列。
进一步提供了一种具体的附着力增强部分的结构,在每个附着力增强部分中,开膜区域为2~20个,非开膜区域为1~19个,非开膜区域位于两个开膜区域之间。
采用了上述技术方案后,非开膜区域完全是钝化膜,激光不开膜,可有效保证背电极区域的钝化效果,使电池效率不受影响;开膜区域完全是硅基体,激光将钝化膜完全去除,可有效提高背电极与硅片的接触,背电极脱落问题得到改善,并可形成Ag-Si欧姆接触,一方面维持电池转换效率不受影响,一方面组件焊接后的拉托力隐患得到解决,非开膜区域比例可根据所设计的背电极宽度及长度进行适当调整,一般占附着力增强部分的0~60%为宜。
附图说明
图1为本实用新型的光伏电池背面激光开槽图形结构的结构示意图;
图2为图1中的A部放大图。
具体实施方式
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施案例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1、2所示,一种光伏电池背面激光开槽图形结构,它包括图形主体,图形主体具有:
多条相互平行的开膜线段1;其也可以是虚线段;
多个附着力增强部分2,附着力增强部分2具有用于附着硅基体的开膜区域21和用于附着钝化膜的非开膜区域22,并且开膜区域21和非开膜区域22呈间隔排列状。
如图1所示,开膜线段1和附着力增强部分2呈相互垂直状。
如图1所示,附着力增强部分2具有十二个,并呈四行三列状,附着力增强部分2均匀地设置在图形主体上。当然,其还可以由其他阵列分布状结构,行数为3~10行,列数为3~10列内均可。
如图2所示,在每个附着力增强部分2中,开膜区域21为五段,非开膜区域22为四段,非开膜区域22位于两个开膜区域21之间。当然,其还可以是其他段数,在每个附着力增强部分2中,开膜区域21为2~20个,非开膜区域22为1~19个,非开膜区域22位于两个开膜区域21之间。
本实用新型的工作原理如下:
非开膜区域22完全是钝化膜,激光不开膜,可有效保证背电极区域的钝化效果,使电池效率不受影响;开膜区域21完全是硅基体,激光将钝化膜完全去除,可有效提高背电极与硅片的接触,可形成Ag-Si欧姆接触,非开膜区域比例可根据所设计的背极宽度及长度进行适当调整,一般占附着力增强部分的0~60%为宜。
以上所述的具体实施案例,对本实用新型解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施案例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的