[实用新型]电容触摸屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏，尤其涉及电容触摸屏。

背景技术

目前，多点式触摸屏已经成为手机、平板电脑及笔记本电脑等电子产品不可或缺的元件。多点式触摸屏目前可实现识别多点手势方向或多点触摸位置，其通常包括玻璃或树脂基板、在基板表面中部形成的透明并且导电的铟锡金属氧化物(IndiumTinOxides，ITO)层及在基板边缘部形成的用于连接柔性电路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)的引线层。现有的一种工艺是，ITO层上通过化学蚀刻的方式形成电容阵列。引线层通过另外的丝网印刷或者磁控溅射方式制作，以形成用于将电容阵列连接至外部的引线。

衡量透明导电层的标准通常是方块电阻值(方阻)和透光率。目前，ITO层的方阻通常在80-500Ω/sq，透光率通常能达到85％。然而随着性能要求的不断提高，在达到上述透光率的情况下，ITO层的方阻已经显得较高。另外，实际产品中通常还得考虑ITO层蚀刻后的光学性能。由于蚀刻区域和未蚀刻区域的折射率不同导致表面光学性能差异，因此，为了抑制视觉变形，蚀刻后形成电容阵列的ITO线通常得设置成密集的褶皱形状。这样的形状增加了制版及蚀刻的难度，效果也不尽如人意。近来，可对ITO透明导电层进行不去除式的加工方式，即将部分ITO变成不导电而无需去除该部分的加工方式的出现，为更高性能的多点式电容触摸屏的设计提供了进一步的发展空间。

实用新型内容

本实用新型的实施方式提供了一种可解决上述技术问题的电容触摸屏。

一种电容触摸屏，包括一基材及设置于该基材的一纳米银丝薄膜，该纳米银丝薄膜包括感测区，该感测区具有第一侧及相对的第二侧，还包括：多个透明导电的第一电极，各第一电极包括一个自该第一侧向该第二侧延伸的第一主干；多个透明导电的第二电极，各第二电极包括均自该第一侧向该第二侧延伸的一个第二主干及一个连接至该第二主干的走线；透明的非导电图案，其位于该第一及第二电极之间以将该两者电性隔离。

在传统的设计中，ITO薄膜方阻较高，触摸屏感测图案以及整体结构会受到限制。比如OGS结构的触摸屏因方阻限制，其尺寸通常都小于6寸，尺寸再大的话通道阻抗会太高而产生远端性能差等问题。相较于传统ITO设计，本实用新型采用了方阻大为降低的纳米银丝薄膜，因此，触摸屏的感测图案及尺寸有较大的设计空间，受方阻的限制大为降低。

附图说明

下列附图用于结合具体实施方式详细说明本实用新型的各个实施方式。应当理解，附图中示意出的各元件并不代表实际的大小及比例关系，仅是为了清楚说明而示意出来的示意图，不应理解成对本实用新型的限制。

图1是本实用新型第一实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图。

图2是根据图1的制作方法，激光照射在设置于基材上的纳米银丝薄膜时的侧面示意图。

图3是图1的纳米银丝薄膜的部分区域中被照射部分跟不被照射部分的微观示意图。

图4是根据图1的方法制作的电容触摸屏的平面视图。

图5是根据本实用新型的第一实施方式，图4电容触摸屏上用于感测触摸操作的部分图案的放大示意图。

图6a至6c是本实用新型第二至第四实施方式提供的电容触摸屏上的部分图案的放大示意图。

图7是本实用新型第五实施方式提供的电容触摸屏上的部分图案的放大示意图。

图8是本实用新型第六实施方式提供的电容触摸屏上的部分图案的放大示意图。

图9是本实用新型第七实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合多个实施方式及附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供了一种电容触摸屏，在下述实施方式中，将通过对电容触摸屏的制造方法进行描述来说明电容触摸屏的结构，本领域技术人员根据对制作方法的描述可清楚得知电容触摸屏的结构。

请结合图1及图2，其是本实用新型的实施方式提供的电容触摸屏的制作方法的流程图，包括以下步骤：