[发明专利]绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，包含下列步骤：

(a)提供一第一导电型基板，并在该第一导电型基板的一正面制作绝缘栅双极晶体管的正面元件及正面金属层；

(b)于第一导电型基板的背面制作多重凹槽结构，该多重凹槽结构具有多个凹槽，且这些凹槽的宽度为沿深度方向渐缩，每一该凹槽外侧具有一第一导电型杂质植入层图案，于该多重凹槽结构底部具有一最底层第一导电型杂质植入层；

(c)以沉积方式于该多重凹槽结构内填入多层第一导电型非晶硅层，且这些第一导电型非晶硅层分别与这些第一导电型杂质植入层图案对齐；

(d)于第一导电型基板底部表面植入一第二导电型杂质植入层或沉积一第二导电型非晶硅层；

(e)以激光退火工艺对所得结构的各非晶硅层退火，以形成多层场截止层；

(f)于第一导电型基板底部表面制作一集极金属层；

其中，步骤(b)更包含

(b1)界定一第一凹槽及于该第一凹槽底部布植一第一导电型杂质植入层；

(b2)于该第一导电型基板的背面制作具有侧壁的第一低温沉积氧化图案，且此侧壁部分与第一导电型杂质植入层重叠；

(b3)以该第一低温沉积氧化图案为蚀刻掩膜，移除未被该第一低温沉积氧化图案遮盖的第一导电型杂质植入层部分，以形成一第一导电型杂质植入层图案；

(b4)于所得结构制作有侧壁的第二低温沉积氧化图案，且该第二低温沉积氧化图案较该第一低温沉积氧化图案深；

(b5)在该第二低温沉积氧化图案之下布植另一第一导电型杂质植入层，且以该第二低温沉积氧化图案为蚀刻掩膜移除未被该第二低温沉积氧化图案遮蔽的该另一第一导电型杂质植入层，以形成另一第一导电型杂质植入层图案；

(b6)重复前述步骤(b4)及(b5)至所需的多层第一导电型杂质植入层图案完成为止。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，该第一导电型为N型或是P型。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，该步骤(c)是以PECVD工艺制作。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，在步骤(d)之后形成四层场截止层。

5.根据权利要求4的绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，所述四层场截止层的杂质浓度沿着背面向深度方向逐渐降低。

6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，杂质浓度的范围为1X10¹³cm^-3至1 X 10¹⁶cm^-3。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，其特征在于，该集极金属层的材质为铝、氮化钛或是钨。