[发明专利]氧化锗预清洁模块和方法

权利要求书

1.一种用于集成电路制造的方法，其包括：

从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包含硅和锗，并且其中去除所述氧化物材料包括：

将含卤素的预清洁材料沉积在所述表面上；

选择性地升华布置于所述衬底的所述硅上的所述含卤素的预清洁材料的第一部分以暴露所述衬底的所述表面上的硅；

将钝化材料沉积在所述衬底的所述表面上的被暴露的所述硅上；和

在沉积所述钝化材料之后，升华所述含卤素的预清洁材料的第二部分以将含锗和氧的物质从所述表面去除；

其中沉积所述含卤素的预清洁材料和升华所述含卤素的预清洁材料的第一部分使含硅及氧的物质从所述表面去除。

2.如权利要求1所述的方法，其中升华所述含卤素的预清洁材料的第二部分包括升华所述钝化材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

升华所述含卤素的预清洁材料的第一部分包含将所述衬底的所述表面加热至80℃至150℃的温度；并且

升华所述含卤素的预清洁材料的第二部分包含将所述衬底的所述表面加热至320℃至500℃的温度。

4.一种用于集成电路制造的方法，其包括：

从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包含硅和锗，并且其中去除所述氧化物材料包括：

将含卤素的预清洁材料沉积在所述表面上；

选择性地升华布置于所述衬底的所述硅上的所述含卤素的预清洁材料的第一部分以暴露所述表面上的所述硅；

将钝化材料沉积在所述衬底的所述表面上的被暴露的所述硅上；和

升华所述钝化材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中升华所述钝化材料是在1毫托与50托之间的压力下进行。

6.如权利要求4所述的方法，其中沉积所述含卤素的预清洁材料包括将所述衬底暴露于通过远程等离子体单元活化的含卤素的气体。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含卤素的气体包含三氟化氮、氟化氢和双原子氟中的至少一种。

8.如权利要求6所述的方法，其中沉积所述含卤素的预清洁材料还包括将所述衬底暴露于含氢的气体。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述含氢的气体包含氨气。

10.如权利要求8所述的方法，其中将所述衬底暴露于所述含氢的气体包括：

在将所述衬底暴露于所述含氢的气体之前使所述含氢的气体流过转移管；和

将所述转移管的至少一部分加热至30℃至120℃的温度。

11.如权利要求4所述的方法，其中所述衬底的所述表面还包含氮化硅，并且其中去除所述氧化物包括相对于所述氮化硅以7:1至20:1的选择性选择性地去除所述氧化物材料。

12.如权利要求4所述的方法，其中升华所述含卤素的预清洁材料的第一部分包括将所述衬底的所述表面加热至80℃至150℃的温度。

13.如权利要求12所述的方法，其还包括在沉积所述含卤素的预清洁材料之后，使所述衬底的所述表面的温度升高。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述钝化材料包含氯，并且其中沉积所述钝化材料包括在升高期间使所述衬底暴露于含氯的气体。

15.如权利要求4所述的方法，其中沉积所述钝化材料包括将所述衬底暴露于氯气、二氯硅烷和氯化氢中的至少一种。

16.如权利要求15所述的方法，其还包括在升华所述含卤素的预清洁材料的第一部分期间，将所述衬底暴露于所述氯气、二氯硅烷和氯化氢中的至少一种。