[发明专利]一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器及测量方法有效

专利信息
申请号: 201511016756.6 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN105424978B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 刘开园;徐明龙;张舒文;申胜平;王铁军;邵妍;马国亮 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01P15/08 分类号: G01P15/08
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 何会侠
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 挠曲 效应 加速度 传感器 测量方法
【权利要求书】:

1.一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:包括基体(1)和绝缘刚性圆柱壳体(4),所述基体(1)为运动体本身,基体(1)与绝缘刚性圆柱壳体(4)固结,绝缘刚性圆柱壳体(4)的上盖能够移动和锁止,两个挠曲电材料圆台(2)相对的置于绝缘刚性圆柱壳体(4)内,通过绝缘刚性圆柱壳体(4)上盖给两个相对的挠曲电材料圆台(2)一定的预紧力,挠曲电材料圆台(2)的上下表面涂有电极(3),电极(3)与电荷放大器(5)的输入端相连,电荷放大器(5)的输出端与信号处理、显示、存储模块(6)相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:在测量不同加速度时,所述挠曲电材料圆台(2)的尺寸和采取材料不同。

3.根据权利要求1所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:所述挠曲电材料圆台(2)、绝缘刚性圆柱壳体(4)尺寸小,对基体(1)自身运动影响小。

4.根据权利要求1所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:所述挠曲电材料圆台(2)的材料采用介电常数大于1的分子结构具有中心对称性的材料。

5.根据权利要求4所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:所述介电常数大于1的分子结构具有中心对称性的材料为PVDF、聚四氟乙烯或钛酸锶钡。

6.根据权利要求1所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:所述基体(1)、绝缘刚性圆柱壳体(4)采用的材料刚度大。

7.根据权利要求1所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器,其特征在于:所述电极(3)厚度小于挠曲电材料圆台(2)高度至少一个数量级。

8.权利要求1所述的一种基于挠曲电效应的高g值加速度传感器的测量方法,其特征在于:基体(1)以高g值加速度振动时,基体(1)通过与基体(1)固结的绝缘刚性圆柱壳体(4)传递给挠曲电材料圆台(2),挠曲电材料圆台(2)受惯性力产生挠曲变形,挠曲电材料圆台(2)在其挠度方向产生应变梯度,由于挠曲电原理,无源的挠曲电材料圆台(2)在其表面产生极化电荷,经电极(3)传递至电荷放大器(5)并由其线性转换为相应的电压信号,电压信号经电荷放大器(5)的输出端传递至信号处理、显示、存储模块(6),信号处理、显示、存储模块(6)进行数据处理并显示基体高g值的加速度。

9.根据权利要求8所述的测量方法,其特征在于:所述信号处理、显示、存储模块(6)进行数据处理的方法如下:

中心对称晶体即挠曲电材料中不存在压电效应,材料电极化简单描述为:

其中Pijkijkl,xl分别为极化程度、应变、挠曲电系数和梯度方向;对于已知的材料,其挠曲电系数已知;

而电极化可描述为电荷与电荷分布面积的比,即

其中Qi,A分别是电荷量和对应电极的面积;

因此极化电荷的值与应变梯度为比例关系,即通过极化电荷便可知道对应的应变梯度;

由于基体(1)存在加速度,通过绝缘刚性圆柱壳体(4)传递给挠曲电材料圆台(2),使挠曲电材料圆台(2)产生挠曲变形,即加速度与挠曲变形存在一定的关系:

其中a,k,εjk,μijkl,xl分别为基体运动加速度、与材料有关的比例系数、应变、挠曲电系数和梯度方向;

挠曲电材料圆台(2)在表面上产生极化电荷,通过电极(3)输出,经过计算可显示基体加速度的变化情况。

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