[发明专利]一种用抛光砖废渣制备的PVC阻燃波纹瓦及其制备方法

权利要求书

1.一种用抛光砖废渣制备的PVC阻燃波纹瓦，其特征在于，所述PVC地板砖以抛光砖废 渣为填料。

2.根据权利要求1所述的用抛光砖废渣制备的PVC地板砖，其特征在于，所述抛光砖废 渣在使用前需要经过偶联剂活化处理：

将抛光砖废渣投入高速混合机中搅拌烘干，使其含水量低于0.3％；加入按抛光砖废渣 总质量的0.5～5％偶联剂；所述偶联剂是硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂中的一 种或多种。

3.根据权利要求2所述的用抛光砖废渣制备的PVC地板砖，其特征在于，所述偶联剂是 铝酸酯偶联剂。

4.根据权利要求1～3任一所述的用抛光砖废渣制备的PVC阻燃波纹瓦，其特征在于，所 述PVC阻燃波纹瓦的原料组成，按照质量份数计，包括以下组分：

5.根据权利要求4所述的用抛光砖废渣制备的PVC阻燃波纹瓦，其特征在于，所述PVC树 脂选用聚合度为700～1300的PVC树脂粉中的一种或多种；

所述润滑剂是聚氯乙烯蜡、石蜡、硬脂酸中的一种或多种；

所述热稳定剂采用三碱式硫酸铅、二碱式亚磷酸铅或硬脂酸铅、硬脂酸钙、硬脂酸锌、 硬脂酸钡中的一种或多种混合物。

6.根据权利要求4所述的用抛光砖废渣制备的PVC阻燃波纹瓦，其特征在于，所述PVC阻 燃波纹瓦的原料组成，按照质量份数计，包括以下组分：

交联剂1～3份；

阻燃剂5-15份；

所述交联剂为过氧化二异丙苯、三烯丙基异三聚氰酸酯或乙烯基三乙氧基硅烷中的一 种；

所述阻燃剂为氯化聚乙烯或氧化锑中的一种或两种。

7.根据权利要求4所述的用抛光砖废渣制备的PVC阻燃波纹瓦，其特征在于，所述PVC阻 燃波纹瓦的原料组成，按照质量份数计，包括以下组分：

纳米材料1～20份；

所述纳米材料是纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米滑石粉、纳米碳酸钙、纳米蒙脱土中 的一种或多种。

8.一种如权利要求1～7任一所述的PVC阻燃波纹瓦的制备方法，其特征在于，包括以下 步骤：

对抛光砖废渣进行偶联剂活化处理；

先将PVC树脂、经表面活化处理的抛光砖废渣和其它助剂，高速搅拌10～15分钟，当物 料温度达到105～120℃时排放入低速冷混机内，低速搅拌待物料温度低于50℃时放料备 用；

将物料挤出造粒；

将粒料挤出板材；

对板材进行冷却、定型，再牵引送入切断装置进行裁切，得到PVC阻燃波纹瓦。

9.根据权利要求8所述的PVC阻燃波纹瓦的制备方法，其特征在于，对抛光砖废渣进行 偶联剂活化处理的过程包括以下步骤：

将抛光砖废渣投入高速混合机中搅拌烘干，使其含水量低于0.3％；缓缓加入按抛光砖 废渣总质量的0.5～5％偶联剂；

所述偶联剂是硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的PVC阻燃波纹瓦的制备方法，其特征在于，所述挤出造粒过程 中，挤出造粒机的温度从料斗到机头依次为:130℃，140℃，155℃，160℃，170℃，175℃；

所述挤出板材过程中，挤出机挤出板材的温度从输送段到机头依次为130℃，150℃， 160℃，170℃，180℃，190℃，195℃，200～210℃，190～195℃。