[发明专利]一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4复合材料及其应用在审
| 申请号： | 201510996638.X | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105428081A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王润伟;张宗弢;蔚艳茹;蒋尚 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/46 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王淑秋;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 基底 原位 生长 ni sub mmoo 复合材料 及其 应用 | ||
1.一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4纳米棒阵列复合材料，其由如下步骤制备得到：
(1)将金属基底依次用2～6molL-1的盐酸、丙酮、蒸馏水超声清洗，用以除去表面的氧化物层和油污；
(2)称取0.5～2mmolM盐(M＝Ni，Co或Mn)，溶于20～50mL去离子水中，搅拌10～20min后缓慢加入0.5～2mmol钼源，搅拌1～2h，形成A溶液；将A溶液转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中，然后将清洗干净的金属基底浸入到该溶液中，在自生压力下，水热晶化，待反应结束后自然冷却至室温；将得到的金属基底用去离子水和乙醇分别洗涤多次，干燥后在空气中进行焙烧，从而在金属基底上生长有MMoO4纳米棒阵列；
(3)将0.5～2mmol镍源溶解于20～50mL去离子水中，搅拌10～20min后加入0.5～4mmol硫源，搅拌2～4h，形成B溶液；将B溶液转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中，然后将步骤(2)得到的生长有MMoO4纳米棒阵列的金属基底浸入到该溶液中，在自生压力下，水热晶化，待反应结束后自然冷却至室温；将得到的金属基底用去离子水和乙醇分别洗涤多次，干燥后得到金属基底上生长的Ni3S2包覆的MMoO4纳米棒阵列复合材料。
2.如权利要求1所述的一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4纳米棒阵列复合材料，其特征在于：步骤(1)中金属基底为不锈钢片、不锈钢网、金属钛片、金属钛网、金属镍片或泡沫镍。
3.如权利要求1所述的一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4纳米棒阵列复合材料，其特征在于：步骤(2)中的M盐为Ni(NO3)2、Ni(CH3COO)2、NiCl2、NiSO4、Co(NO3)2、Co(CH3COO)2、CoCl2、CoSO4、Mn(NO3)2、Mn(CH3COO)2、MnCl2或MnSO4。
4.如权利要求1所述的一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4纳米棒阵列复合材料，其特征在于：步骤(2)中的钼源为Na2MoO4·2H2O、(NH4)6Mo7O24·4H2O、MoO3。
5.如权利要求1所述的一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4纳米棒阵列复合材料，其特征在于：步骤(2)中水热晶化的温度100～180℃，晶化时间3～18h；干燥温度40～100℃，干燥时间6～12h；焙烧温度为400～600℃，焙烧时间为60～240min，升温速率为1～-3℃/min。
6.如权利要求1所述的一种金属基底上原位生长的Ni3S2包覆MMoO4纳米棒阵列复合材料，其特征在于：步骤(3)中的镍源为Ni(NO3)2、Ni(CH3COO)2、NiCl2、NiSO4中的一种或多种的混合。
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