[发明专利]一种压电陶瓷二维阵的成阵方法在审

专利信息
申请号: 201510982086.7 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN105390606A 公开(公告)日: 2016-03-09
发明(设计)人: 李勤博;申扣喜;丁锦鸣;王洪亮 申请(专利权)人: 海鹰企业集团有限责任公司
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/187;H01L41/22;H01L41/253
代理公司: 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 代理人: 杨立秋
地址: 214035 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 压电 陶瓷 二维 方法
【权利要求书】:

1.一种压电陶瓷二维阵的成阵方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)压电陶瓷(10)的正极面(11)经过表面粗化处理;

(2)将压电陶瓷(10)的正极面(11)通过导电胶(8)胶合到带有插针(7)的背衬(6)上;

(3)按照二维阵基元的间距要求将压电陶瓷(10)通过高精度划片机进行切割,切割至导电胶(8)横向切断;

(4)切割后形成的基元(5)和插针(7)一一对应且基元(5)的电极和插针(7)导通。

2.根据权利要求1所述的压电陶瓷二维阵的成阵方法,其特征在于,所述步骤(1)中表面粗化可采用喷砂或打毛方式。

3.根据权利要求1所述的压电陶瓷二维阵的成阵方法,其特征在于,所述步骤(2)中背衬(6)上的插针(7)均匀分布成二维结构。

4.根据权利要求1或3所述的压电陶瓷二维阵的成阵方法,其特征在于,所述步骤(2)中带有插针(7)的背衬(6)采用灌注方式一次成型。

5.根据权利要求1所述的压电陶瓷二维阵的成阵方法,其特征在于,所述步骤(3)中切割的深度大于压电陶瓷(10)的厚度。

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