[发明专利]用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备和应用有效
| 申请号: | 201510976924.X | 申请日: | 2015-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN105542979B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
| 发明(设计)人: | 何桥;贺贤汉 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号: | C11D1/24 | 分类号: | C11D1/24;C11D3/60;C11D3/44;B08B3/08 |
| 代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 陈淑章 |
| 地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗剂 玻璃掩膜 晶圆 封装胶 十二烷基苯磺酸 乙二醇乙醚 十二碳烯 有机溶剂 纯净水 掩膜版 乙二胺 重量份 丙酮 残胶 去除 中性有机溶剂 制备和应用 常温搅拌 反应条件 去胶 制备 浸泡 配方 腐蚀 脱离 | ||
本发明涉及一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂,以重量份计,包括如下组分:丙酮10‑30份、乙二醇乙醚3‑15份、十二碳烯5‑30份、乙二胺5‑30份、十二烷基苯磺酸0.1‑5份,和纯净水10‑30份。其制备包括:按上述重量份,将丙酮、乙二醇乙醚1、十二碳烯、乙二胺、十二烷基苯磺酸、纯净水,于常温搅拌30min,制得晶圆玻璃掩膜版封装胶清洗剂。本发明的清洗剂为中性有机溶剂配方,利用有机溶剂对晶圆玻璃掩膜版残胶部位进行浸泡,使得残胶在有机溶剂成分的协助下快速脱离掩膜版表面,加速了去胶的速度,对掩膜版的腐蚀小,使用成本低,反应条件温和。
技术领域
本发明属于封装胶清洗去除技术领域,特别涉及一种用于去除CMOS摄像头晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备方法和应用。
背景技术
摄像头已经广泛应用于各类电子产品中,尤其是手机、平板等产业的快速发展,带动了摄像头产业的高速增长。当前,摄像头性能已经成为智能手机的一个重要卖点,各厂商在新机型中纷纷不断升级摄像头的性能,以提升产品的竞争力。2012年全球CMOS传感器的市场需求为25亿只,预计到2017年全球CMOS传感器的需求为45亿只。
然而,在CMOS传感器封装过程中,晶圆玻璃掩膜版会出现封装胶等脏污。现有清洗方法主要是通过酸碱腐蚀将掩膜版上的封装胶去除,不但很难清除干净,而且这类化学试剂在去除封装胶的同时也将掩膜版上的图形损坏,因此长期使用会导致掩膜版的图形发生变形而报废。
因此,研发一种中性配方的清洗剂,并能保证封装胶的快速去除尤为重要。而到目前为止,尚未见关于此类清洗剂的相关文献报道。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种用于去除CMOS摄像头晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备方法和应用。本发明的清洗剂为中性有机溶剂配方,该清洗剂在温和的温度条件下进行短时间清洗即可完全去除CMOS摄像头晶圆玻璃掩膜版表面的封装胶。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
本发明的第一目的在于提供一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂,以重量份计,包括如下组分:
进一步的,所述清洗剂,以重量份计,包括如下组分:
进一步的,所述清洗剂,以重量份计,包括如下组分:
进一步的,所述清洗剂,以重量份计,包括如下组分:
进一步的,所述清洗剂,以重量份计,包括如下组分:
进一步的,所述清洗剂,以重量份计,包括如下组分:
本发明的第二目的在于提供一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂的制备方法,包括:
按上述重量份,将丙酮、乙二醇乙醚1、十二碳烯、乙二胺、十二烷基苯磺酸、纯净水,于常温搅拌30min,制得晶圆玻璃掩膜版封装胶清洗剂。
本发明的第三目的在于提供一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂的应用,包括:在温度50~80℃的条件下,将封装后的晶圆玻璃掩膜版在所述清洗剂中浸泡2~5h,去除晶圆玻璃掩膜版表面的残胶。
进一步的,所述温度为60℃。
进一步的,所述浸泡时间为4h。
与现有技术相比,本发明的积极效果如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海申和热磁电子有限公司,未经上海申和热磁电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510976924.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抗菌柔顺剂
- 下一篇:生物无害化处理用干化机





