[发明专利]有机发光显示器件及显示装置在审
| 申请号: | 201510940731.9 | 申请日: | 2015-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN106887446A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
| 发明(设计)人: | 李维维;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 张凤 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域,特别是涉及一种有机发光显示器件及显示装置。
背景技术
有机显示装置可以使用红绿蓝的子像素显示彩色的图像,并且由于其优良的亮度和色纯度而被作为下一代显示装置。为了提高显示装置的分辨率,需要减小像素的尺寸,这样用于蒸镀的掩膜板开口也要变小,但受掩膜板制备工艺的影响,此开口的尺寸是有限制的;因此限制了显示器分辨率的提高。尤其在顶发光有机发光二极管显示装置中,由于红绿蓝器件的波长不同,在顶发光有机发光显示器件中需要对绿光和红光器件进行光学补偿。
目前一般采用ITO对绿光和红光器件进行光学补偿,但是采用ITO进行光学补偿增加刻蚀难度,不利于实现。
另外,目前还有采用空穴注入层HIL对绿光和红光器件进行光学补偿,采用HIL光学补偿的有机发光显示器件的结构如图1所示。该有机发光显示器件100’包括第一电极110’、第二电极120’、以及位于第一电极110’和第二电极120’之间的功能结构层130’;功能结构层130’依次包括位于所述第一电极110’上的空穴注入层131’、空穴传输层132’、有机发光层、电子传输层134’、以及电子注入层135’;有机发光层为并排设置的红光发光层1331’、绿光发光层1332’、以及蓝光发光层1333’;在空穴注入层131’和空穴传输层132’之间对应红光发光层1331’、绿光发光层1332’的区域分别还设有红光光学补偿层139’以及绿光光学补偿层138’。红光光学补偿层139’以及绿光光学补偿层138’与空穴注入层131’一样均可以采用空穴注入材料制成。
上述有机发光显示器件的制造过程中,会多次使用到精密掩膜板,尤其是使用精密掩膜板进行红光器件光学补偿须大于60nm,也即蒸镀红光光学补偿层139’的厚度大于60nm,量产线长时间蒸镀容易阻塞掩膜板。
发明内容
基于此,有必要针对现有的有机发光显示器件制备过程中掩膜板易阻塞的问题,提供一种制备过程中不易阻塞掩膜板的有机发光显示器件。
一种有机发光显示器件,包括第一电极、第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的功能结构层;
所述功能结构层依次包括位于所述第一电极上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、以及电子注入层;
有机发光层依次包括蓝光发光材料层、部分遮挡所述蓝光发光材料层的绿光阻挡层、绿光发光材料层、部分遮挡所述绿光发光材料层上的红光阻挡层、以及红光发光材料层;
所述蓝光发光材料层位于所述有机发光层内靠近所述空穴传输层的一侧,所述绿光阻挡层以及所述红光阻挡层光阻挡层均为电子阻挡层;
或,
所述蓝光发光材料层位于所述有机发光层内远离所述空穴传输层的一侧,所述绿光阻挡层以及所述红光阻挡层均为空穴阻挡层。
在其中一个实施例中,所述红光阻挡层的厚度为1~20nm。
在其中一个实施例中,所述绿光阻挡层的厚度为1~20nm。
在其中一个实施例中,所述蓝光发光材料层的厚度为10~60nm。
在其中一个实施例中,所述绿光发光材料层的厚度为10~60nm。
在其中一个实施例中,所述蓝光发光材料层、所述绿光发光材料层、以及所述红光发光材料层均采用单主体发光材料。
在其中一个实施例中,所述第一电极为氧化铟锡电极。
在其中一个实施例中,所述第二电极为镁银合金电极。
在其中一个实施例中,所述有机发光显示器件还包括光学耦合层,所述光学耦合层位于所述第二电极上远离所述第一电极的一侧。
本发明还提供了一种显示装置,其包括本发明所提供的有机发光显示器件。
与现有技术相比,本发明的有机发光显示器件,通过特殊的有机发光层结 构设置,蓝光发光材料层以及绿光发光材料层的制备均不需要精密掩膜板,降低了精密掩膜板的使用数量。另外,红光的光学补偿为:蓝光发光材料层的厚度+绿光阻挡层的厚度+绿光发光材料层的厚度+红光阻挡层的厚度,其中,红光阻挡层的厚度可以设置地较小,不会在蒸镀过程中堵塞掩膜板。
附图说明
图1为现有技术中的有机发光显示器件的结构示意图。
图2为实施例1的有机发光显示器件的结构示意图。
图3为实施例2的有机发光显示器件的结构示意图。
具体实施方式
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





