[发明专利]具有与偏置材料分离的侧面屏蔽的剪式读头在审
申请号: | 201510916312.1 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN105575407A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | H·S·吉尔;S·黄;Q·李;G·刘;X·刘;S·宋 | 申请(专利权)人: | HGST荷兰公司 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 偏置 材料 分离 侧面 屏蔽 剪式读头 | ||
技术领域
本文公开的实施例总体而言涉及硬盘驱动器中使用的磁读头。
背景技术
计算机的心脏是磁盘驱动器,磁盘驱动器通常包括旋转的磁盘、具有读 和写头的滑块、在旋转盘上方的悬臂、以及致动器臂,所述致动器臂转动悬 臂以将读和/或写头放置在旋转盘上所选择的磁道上方。当磁盘不旋转时悬臂 使滑块向磁盘表面偏移,但是当磁盘旋转时,空气被邻近面对介质的表面 (mediafacingsurface,MFS)例如滑块的空气轴承表面(airbearingsurface, ABS)的旋转盘所搅动,导致滑块骑在稍微远离旋转盘表面的空气轴承上。 当滑块骑在空气轴承上时,写和读头用于向旋转盘写入磁印记(magnetic impression)和从旋转盘读取磁信号区域。读和写头连接到处理电路,处理 电路根据计算机程序进行操作以实现写和读功能。
读头中使用的一种常规传感器是剪式传感器。剪式传感器叠层通常具有 两个自由磁性层,该两个自由磁性层具有相对于彼此以剪刀形式移动的磁 化。剪式传感器叠层具有位于MFS的第一表面和与第一表面相反的第二表 面,并且偏置材料通常邻近于传感器叠层的第二表面设置。侧面屏蔽,例如 合成反铁磁(syntheticantiferromagnetic,SAF)结构,通常侧向夹抵(bookend) 传感器叠层和偏置材料。侧面屏蔽使得双自由层的退磁能最小化。然而,在 这种配置中,SAF结构和偏置材料之间可能发生强交互作用,从而导致来自 SAF结构的杂散场干扰偏置材料的稳定性。
因此,需要一种改进的读头。
发明内容
本文公开的实施例总体而言涉及一磁头,该磁头具有在垂直于MFS的 方向上对准的传感器叠层和偏置材料。偏置材料的第一部分和传感器叠层被 SAF结构侧向夹抵,偏置材料的第二部分被介电材料侧向夹抵。在此构造中, SAF结构与偏置材料分离,这使得对偏置材料的干扰最小化。
在一个实施例中,公开了一种磁头。该磁头包括传感器叠层和偏置材料。 偏置材料在基本垂直于面对介质的表面的方向与传感器叠层对准。磁头进一 步包括侧向夹抵偏置材料的第一部分和传感器叠层的侧面屏蔽。侧面屏蔽延 伸至面对介质的表面。磁头进一步包括侧向夹抵偏置材料的第二部分的介电 材料,并且介电材料从面对介质的表面凹进。
在另一实施例中,公开了一种磁头。该磁头包括传感器叠层和侧向夹抵 传感器叠层的侧面屏蔽。侧面屏蔽延伸至面对介质的表面。磁头进一步包括 设置在传感器叠层和侧面屏蔽下方的第一多层屏蔽、设置在第一多层屏蔽下 方的传感器屏蔽、以及设置在传感器叠层和侧面屏蔽上方的第二多层屏蔽。
在另一实施例中,公开了一种磁头。该磁头包括传感器叠层和侧向夹抵 传感器叠层的介电材料。介电材料延伸至面对介质的表面。磁头进一步包括 设置在传感器叠层和介电材料下方的第一多层屏蔽、设置在第一多层屏蔽下 方的传感器屏蔽、以及设置在传感器叠层和介电材料上方的第二多层屏蔽。
附图说明
为了能够详细地理解本公开的上述特征,可通过参考实施例对上面简要 概述的本公开进行更具体的描述,其中某些实施例在附图中示出。然而应当 注意,附图仅仅示出了本公开的典型实施例,因此不应被认为限制其范围, 因为本公开可允许涉及磁传感器的任何领域的其他等效实施例。
图1示出根据本文描述的实施例的磁盘驱动器系统。
图2是根据本文描述的实施例的图1中的磁盘驱动器的读/写磁头和磁盘 的侧视截面图。
图3A是根据本文描述的实施例的磁读头的一部分的透视图。
图3B是根据本文描述的实施例的磁写头的俯视截面图。
图4A-4I示出根据本文描述的实施例形成磁读头的工艺步骤。
图5是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图6是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图7是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图8是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
图9A-9B是根据本文描述的实施例的磁读头的仰视截面图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HGST荷兰公司,未经HGST荷兰公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510916312.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储器件
- 下一篇:语音唤醒方法及装置、终端及其处理方法