[发明专利]标径BGA封装金属焊球的制备方法及模具有效
| 申请号: | 201510854262.9 | 申请日: | 2015-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN105489511B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
| 发明(设计)人: | 王峰;赵海琴 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞而美光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
| 地址: | 215221 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 模具 金属焊球 制备 阵列通孔 成球 电子封装技术 耐高温不粘层 金属原材料 生产成本低 保护气体 均匀性好 熔融金属 生产效率 直径可控 球表面 真圆度 刮刀 球径 熔融 脱模 植球 冷却 收缩 应用 | ||
1.一种标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
a .在一模板(1)上开设形成阵列的若干通孔(2),所述通孔(2)的横截面形状为圆形或多边形,所述多边形包括三角形和方形,在载球板(3)上开设数量和位置与所述模板(1)上的通孔(2)相对应的若干弧形凹坑(7),并在该模板(1)的上表面与所述载球板(3)的上表面分别采用含氟硅酸盐粒子材料涂覆形成不粘层(4),将所述模板(1)可脱离地叠加于所述载球板(3)上方并使二者相贴合;
b .将制备标径BGA封装金属焊球的原材料置于所述模板(1)上,在保护气体的保护下,通过加热使所述原材料成为熔融状态;
c .用刮刀(6)将所述模板(1)上的熔融状态的原材料刮入所述通孔(2)内;
d .通过冷却使所述通孔(2)内的熔融状态的原材料在表面张力的作用下,在所述载球板(3)上收缩成球,并硬化形成标径BGA封装金属焊球(9)。
2.根据权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:所述的含氟硅酸盐粒子材料为特氟龙材质。
3.根据权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:所述的标径BGA封装金属焊球(9)的半径为0 .1~1mm。
4.根据权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:所述的模板(1)和载球板(3)采用不锈钢板或陶瓷板。
5.根据权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:所述的保护气体为氮气和惰性气体中的一种或几种的组合。
6.根据权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:所述的步骤b中的加热方法为电加热、射频加热或红外加热。
7.根据权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法,其特征在于:所述的步骤d中的冷却方法为通过低温箱冷却或通过冷却水冷却。
8.一种用于权利要求1所述的标径BGA封装金属焊球的制备方法的模具,其特征在于:它包括由上至下依次设置的模板(1)和载球板(3),所述的模板(1)上开设有形成阵列的若干通孔(2),且所述模板(1)的上表面和所述载球板(3)的上表面分别采用含氟硅酸盐粒子材料涂覆形成的不粘层(4),所述的模板(1)与载球板(3)可脱离地相贴合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





