[发明专利]具有场电极的功率晶体管

权利要求书

1.一种功率晶体管，包括至少两个晶体管单元，每个包括：

在半导体本体的半导体鳍中的漏极区、漂移区以及本体区；

邻接本体区的源极区；

栅极电极，邻近本体区并且通过栅极电介质与本体区电介质绝缘；

场电极，通过场电极电介质与漂移区电介质绝缘并且被连接到源极区，其中场电极电介质被布置在半导体鳍与场电极之间的第一沟槽中；

其中所述至少两个晶体管单元包括第一晶体管单元以及第二晶体管单元，

其中第一晶体管单元的半导体鳍通过不同于第一沟槽的第二沟槽与第二晶体管单元的半导体鳍分离。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中所述至少两个晶体管单元包括第三晶体管单元，其中第一晶体管单元与第三晶体管单元具有相同的场电极。

3.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中栅极电极和栅极电介质被布置在第一沟槽中。

4.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中栅极电极和栅极电介质被布置在第二沟槽中。

5.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中所述至少两个晶体管单元通过使每个晶体管单元的栅极电极连接到栅极节点、通过使每个晶体管单元的漏极区连接到漏极节点、并且通过使每个晶体管单元的场电极连接到源极节点而被并联连接。

6.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中所述第二沟槽容纳进一步的栅极电极，所述进一步的栅极电极通过进一步的栅极电介质与第一和第二晶体管单元的本体区电介质绝缘。

7.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中本体区具有与源极区相同的掺杂类型。

8.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中本体区具有与源极区的掺杂类型互补的掺杂类型。

9.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中场电极包括从由以下各项组成的组中选择的材料：

金属；

金属氮化物；

碳；以及

高掺杂的多晶半导体材料。

10.根据权利要求5所述的功率晶体管，

其中所述至少两个晶体管单元中的每个进一步包括本体接触电极，

其中本体接触从半导体鳍的表面延伸到本体区、与漂移区电气绝缘、在半导体鳍的纵向方向中邻近漂移区，

并且被连接到源极节点。

11.根据权利要求5所述的功率晶体管，进一步包括：

至少一个栅极接触电极，连接在所述至少两个晶体管单元的栅极电极与栅极节点之间。

12.根据权利要求11所述的功率晶体管，其中每个晶体管单元包括栅极接触电极。

13.根据权利要求11所述的功率晶体管，

其中所述至少两个晶体管单元具有布置在第三沟槽中的共同的栅极接触电极，

其中所述第三沟槽具有与半导体鳍的纵向方向正交的纵向方向。

14.根据权利要求1所述的功率晶体管，

其中半导体鳍具有宽度和长度，

其中从以下各项中的一个选择长度与宽度之间的比例：

至少2：1

至少100：1，

至少1000：1，以及

至少10000：1。

15.根据权利要求1所述的功率晶体管，其中从以下各项中的一个选择多个晶体管单元的数量：

至少100，

至少1000，以及

至少10000。

16.根据权利要求1所述的功率晶体管，

其中源极区以埋没的层被实施，并且

其中所述埋没的层邻接载体层。