[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法以及图案的转印方法有效
申请号: | 201510763096.1 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN105573046B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 今敷修久 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/28 | 分类号: | G03F1/28;G03F7/00 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 图案 | ||
1.一种光掩模,是在透明基板上形成了包括至少对曝光光的一部分进行遮挡的遮光部、和所述透明基板露出的透光部的转印用图案的、平板显示器制造用的光掩模,其特征在于,
所述转印用图案是具有与线部对应的遮光部和与空间部对应的透光部的线和空间图案,
所述遮光部具有以规定宽度沿所述遮光部的外周形成的边缘区域、和在所述遮光部中形成于所述边缘区域以外的部分的中央区域,
所述中央区域形成为相对于透过所述透光部的所述曝光光所包含的代表波长的光具有180±60度的相移量,
所述边缘区域形成为与所述中央区域相比,相对于所述代表波长的光的相移量较小且为±90度以内,并且
在所述边缘区域形成有相对于所述代表波长的光具有30~50%的透过率的光学膜。
2.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,
在所述中央区域也形成有光学膜,所述中央区域的光学膜是相对于所述代表波长的光具有180度±60的相移量的相移膜。
3.根据权利要求2所述的光掩模,其特征在于,
所述相移膜的相对于所述代表波长的光的透过率在20%以上。
4.根据权利要求2所述的光掩模,其特征在于,
所述相移膜的相对于所述代表波长的光的透过率在40%以上。
5.根据权利要求2所述的光掩模,其特征在于,
所述相移膜的相对于所述代表波长的光的透过率为40~70%。
6.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,
所述边缘区域的光学膜是层叠了相对于所述代表波长的光具有180±60度的相移量的相移膜、和相对于所述代表波长的光具有80%以下的透过率的透过调整膜的光学膜。
7.根据权利要求6所述的光掩模,其特征在于,
所述透过调整膜相对于所述代表波长的光具有90~270度的相移量。
8.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,
所述遮光部或者所述透光部的宽度在3μm以下。
9.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,
所述透明基板的一边具有300~1800mm的大小。
10.根据权利要求1~9的任意一项所述的光掩模,其特征在于,
为用于使用开口数NA为0.06~0.15的范围的曝光装置进行曝光的光掩模。
11.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,
为用于利用包含i线、h线、以及g线的光源进行曝光的光掩模。
12.一种图案转印方法,其特征在于,
使用权利要求1~11的任意一项所述的光掩模,并使用包含i线、h线、以及g线的光源以及作为开口数NA具有0.06~0.15的曝光装置来将所述转印用图案转印到被转印体上。
13.一种平板显示器的制造方法,其特征在于,
包括使用权利要求1~11的任意一项所述的光掩模,并使用包含i线、h线、以及g线的光源以及作为开口数NA具有0.06~0.15的曝光装置来将所述转印用图案转印到被转印体上的工序。
14.一种光掩模坯体,用于形成制造平板显示器所使用且包含线和空间图案的光掩模,该光掩模坯体其特征在于,
在透明基板上,层叠有相对于曝光所述光掩模时的曝光光所包含的代表波长的光具有40~70%的透过率以及180±60度的相移量的相移膜、以及相对于所述代表波长的光具有10~80%的透过率以及90~270度的相移量的透过调整膜。
15.一种光掩模坯体,用于形成制造平板显示器所使用且包含线和空间图案的光掩模,该光掩模坯体其特征在于,
在透明基板上具有层叠了相移膜和透过调整膜的层叠膜,
所述相移膜相对于曝光所述光掩模时的曝光光所包含的代表波长的光具有40~70%的透过率以及180±60度的相移量,
所述层叠膜相对于所述代表波长的光具有30~50%的透过率以及±90度以内的相移量。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备