[发明专利]一种双层异质结型有机场效应发光晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种双层异质结型有机场效应发光晶体管，其结构由外至内依次为源电极、漏电极、电极修饰层、空穴传输层、电子传输层、绝缘层修饰层、绝缘层、衬底，其特征在于，将电子和空穴传输材料分别引入到发光晶体管中，电子传输材料引入到发光晶体管的电子传输层中，空穴传输材料引入到发光晶体管的空穴传输层中；并对电极和绝缘层进行修饰，对电极修饰方式是在电极和空穴传输层之间蒸镀一层物质；对绝缘层修饰，修饰方式是把绝缘层放在溶液中进行浸泡。

2.根据权利要求1所述的双层异质结型有机场效应发光晶体管，其特征在于，所述空穴传输层材料为pentacene，电子传输层材料为PTCDI-C13。

3.根据权利要求1所述的双层异质结型有机场效应发光晶体管，其特征在于，其电极修饰材料为MoO₃，绝缘层修饰材料为OTS(十八烷基三氯硅烷)。

4.根据权利要求1所述的双层异质结型有机场效应发光晶体管，其特征在于，电极选取金属银，绝缘层材料为SiO₂，衬底材料为Si。

5.权利要求1-4任一项所述的双层异质结型有机场效应发光晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)清洗SiO₂/Si衬底基片，烘干，紫外处理5分钟，OTS浸泡12小时，烘干；

(2)依次真空蒸镀电子传输层、空穴传输层、电极修饰层、电极。

(3)冷却并进行测试。

6.根据权利要求5所述双层异质结型有机场效应发光晶体管的制备方法，其特征在于，

步骤(1)所述的OTS溶液为5mg/ml的浓度，溶剂为甲苯；

步骤(2)所述的真空蒸镀电子传输层材料为PTCDI-C13蒸镀速率为真空度控制在5×10^-4pa-10^-5pa，采用晶振控制厚度在20-25nm；步骤(2)所述的真空蒸镀的空穴传输材料为pentacene，蒸镀速率为真空度控制在5×10^-4pa-10^-5pa，采用晶振控制厚度在20-25nm。

7.根据权利要求6中所述双层异质结型有机场效应发光晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的真空蒸镀的电极修饰材料为MoO₃，蒸镀速率为真空度控制在5×10^-4pa-10^-5pa，采用晶振控制厚度在1-2nm。

8.根据权利要求6中所述双层异质结型有机场效应发光晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的真空蒸镀的电极材料为银，蒸镀速率为真空度控制在5×10^-4pa-10^-5pa，采用晶振控制厚度在90-100nm。

9.根据权利要求5所述双层异质结型有机场效应发光晶体管的制备方法，其特征在于：电子和空穴传输层厚度范围为20-25nm，电极修饰层厚度范围为1-2nm，金属电极厚度范围为90-100nm。