[发明专利]一种有机发光二极管结构在审
| 申请号： | 201510729111.0 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428544A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 林冠亨;李孟庭 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 发光二极管 结构 | ||
1.一种有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机发光二极管结构包括：
一阴极；
一电子传输层，位于所述阴极的下方；
一复合式绿色发光层，包括一第一发光体和一第二发光体，所述复合式绿色发光层位于所述电子传输层的下方，用以出射绿色光线；
一蓝色发光层和一红色发光层，位于所述复合式绿色发光层的下方，用以分别出射蓝色光线和红色光线；
一空穴注入层/空穴传输层，位于所述蓝色发光层的下方；以及
一阳极，位于所述空穴注入层的下方，
其中，所述第一发光体和所述第二发光体均为电子传输材料，且具有不同的电子迁移率。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光体的电子迁移率大于10-4cm2/V·s，所述第二发光体的电子迁移率小于10-4cm2/V·s。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光体的电子迁移率小于10-4cm2/V·s，所述第二发光体的电子迁移率大于10-4cm2/V·s。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光体和所述第二发光体各自的最低未占据分子轨域等于所述蓝色发光层的最低未占据分子轨域。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述第一发光体和所述第二发光体各自的最低未占据分子轨域高于所述蓝色发光层的最低未占据分子轨域。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述绿色发光层为磷光发光材质，以及所述蓝色发光层为荧光发光材质。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机发光二极管结构采用4次精细金属遮罩制作而成。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述蓝色发光层的主体材料为DPVBi，所述绿色发光层的主体材料为BAlq与PGH06混合堆叠而成。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机发光二极管结构适用于一主动矩阵有机发光二极管面板。
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