[发明专利]成膜装置和成膜方法

说明书

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在用于向基板供给处理气体并获得薄膜的成膜装置中，包括：旋转台，其配置在真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域载置基板并使该基板公转；旋转机构，其以所述基板自转的方式使所述载置区域旋转；处理气体供给机构，其用于向所述旋转台的一面侧的处理气体供给区域供给所述处理气体，并在通过所述公转而反复多次通过该处理气体供给区域的基板上进行成膜；以及控制部，其为了在基板每次位于所述处理气体供给区域时改变该基板的方向而根据包括所述旋转台的转速在内的参数计算所述基板的自转速度，并输出控制信号以使基板以计算出的自转速度自转。

技术领域

本发明涉及向基板供给处理气体并获得薄膜的成膜装置和成膜方法。

背景技术

作为在半导体晶圆(以下称作“晶圆”)等基板上形成硅氧化物(SiO₂)等的薄膜的方法，例如公知有进行ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)的成膜装置。作为该成膜装置的一例，有在其内部被设为真空气氛的处理容器内设有用于载置例如晶圆的旋转台的装置。在旋转台上配置有用于喷出例如成为硅氧化膜的原料的原料气体的气体喷嘴和用于喷出使该原料气体氧化的氧化气体的气体喷嘴。而且，通过旋转台的旋转，晶圆公转，晶圆交替反复通过供给有原料气体的吸附区域和供给有氧化气体的氧化区域，形成所述硅氧化膜。

在所述ALD中，为了控制晶圆的面内的膜厚分布，需要控制被吸附于晶圆的原料气体的分布，因而，在上述成膜装置中，适当地进行设于原料气体的气体喷嘴的喷出口的数量和位置的调整。而且，也适当地进行气体喷嘴的形状的选择、为了划分吸附区域与氧化区域而供给的分离气体的供给量的调整、原料气体中的载气的浓度的调整等。

可是，对于晶圆的周缘部与中央部，利用在成膜处理后进行的蚀刻处理，有时能够调整各自的蚀刻速率。在该情况下，在蚀刻后能够在周缘部和中央部使膜厚一致，因此特别是在晶圆的周向上，要求能够获得均匀性较高的膜厚。但是，利用上述公转，晶圆的各部分在距旋转台的旋转中心预定的距离的相同的轨道上反复移动。因而，吸附区域中的原料气体的分布的不均匀有可能在晶圆上表现为沿着该旋转台的周向观察时的膜厚的不均匀，在上述喷出口的调整等中，有可能无法充分地消除该膜厚的不均匀。

公知有如此使晶圆公转的成膜装置，为了提高上述周向上的膜厚的均匀性，设有在旋转台以预定的方向停止时使放在旋转台上的晶圆自该旋转台浮起并改变方向、再次重新放在旋转台上的机构。但是，根据该成膜装置，由于每次改变晶圆的方向时都使旋转台停止，因此有可能生产率降低。

另外，公知有使晶圆公转的其他成膜装置，但是在该成膜装置中，记载有在旋转台旋转中载置于该旋转台的晶圆自转的主旨。但是，未记载该晶圆的自转被设定为何种转速。若未适当地设定晶圆的自转的转速，则晶圆的自转会与公转同步。即，晶圆在通过所述吸附区域时以相同的方向通过，有可能无法充分地提高所述晶圆的周向上的膜厚的均匀性。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种在使载置于旋转台的基板公转并进行成膜时能够提高基板的面内的周向上的膜厚的均匀性的技术。

用于解决问题的方案

本发明的成膜装置用于向基板供给处理气体并获得薄膜，其中，该成膜装置包括：

旋转台，其配置在真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域载置基板并使该基板公转；

旋转机构，其以所述基板自转的方式使所述载置区域旋转；

处理气体供给机构，其用于向所述旋转台的一面侧的处理气体供给区域供给所述处理气体，并在通过所述公转而反复多次通过该处理气体供给区域的基板上进行成膜；以及