[发明专利]一种硅基异质结电池的制备方法

权利要求书

1.一种硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供N型硅片；

在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；

分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；

分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层；

分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层；

分别在两面的铜层上形成铜栅线电极。

2.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在两面的铜层上形成铜栅线电极具体为：分别在两面的铜层上铺设耐酸干膜，通过曝光和显影在铜层上形成栅线图案，然后通过刻蚀铜层，形成铜栅线电极。

3.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在两面的铜层上形成铜栅线电极具体为：分别在两面的铜层上印刷胶层形成栅线图案，然后通过刻蚀铜层，去除胶层形成铜栅线电极。

4.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在两面的铜层上形成铜栅线电极具体为：通过CVD沉积的方式在铜层上沉积抗腐蚀绝缘层，然后通过激光刻蚀形成栅线图案，化学刻蚀铜层及去除绝缘层形成金属铜栅线电极。

5.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层具体为：在真空环境中，将铜通过电阻丝加热、电子束加热或激光轰击加热的方式加热至蒸发温度，然后将铜蒸汽凝结在阻挡层上。

6.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述铜栅线电极上还设有锡层。

7.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积两面的本征非晶硅膜层，再沉积N型非晶硅层、P型非晶硅层。

8.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积两面的本征非晶硅膜层，再沉积P型非晶硅层、N型非晶硅层。

9.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积其中一面的本征非晶硅膜层、P型非晶硅层，再沉积另一面的本征非晶硅膜层、N型非晶硅层。

10.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积其中一面的本征非晶硅膜层、N型非晶硅层，再沉积另一面的本征非晶硅膜层、P型非晶硅层。