[发明专利]一种无触点电子继电器的安全保护电路

权利要求书

1.一种无触点电子继电器的安全保护电路，它包括隔离驱动电路、控制芯片、快速熔断丝（3）、主开关电路（2）、自毁保护电路（1），主开关电路（2）由主开关管Q1、压敏电阻RV、稳压管D组成，其特征在于：自毁保护电路（1）由分立元件+功率管模式或控制芯片+功率管模式构成；当自毁保护电路（1）应用于主开关管Q1为高边状态时，自毁保护电路（1）的输入端与隔离驱动电路连接，自毁保护电路（1）的输出端并联连接有主开关电路（2）、直流负载；隔离驱动电路通过控制开关K、快速熔断丝（3）与主开关电路（2）连接；

当自毁保护电路（1）应用于主开关管Q1为低边状态时，自毁保护电路（1）的输入端、主开关电路（2）的输入端与控制开关K并联连接，主开关电路（2）的输出端与直流负载的一端连接，自毁保护电路（1）的输入端通过控制开关K、快速熔断丝（3）与直流负载连接，自毁保护电路（1）的输出端通过导线连接直流负载的另一端。

2.根据权利要求1所述的一种无触点电子继电器的保护电路，其特征在于：所述的自毁保护电路（1）应用于主开关管Q1为高边状态、且采用分立元件+功率管模式时，它由功率管Q2、NPN型三极管Q3、电阻R1～R4、稳压管D1、电容C组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R4与S端、隔离驱动电路的①端并联连接，功率管Q2的栅极通过电阻R1与隔离驱动电路的④端连接，功率管Q2的集电极并联连接主开关电路（2）的主开关管Q1的发射极、直流负载的一端，隔离驱动电路的②端、功率管Q2的发射极、NPN型三极管Q3的发射极、电容C、电阻R2、电阻R3、稳压管D1的正极、电源E的负端、直流负载的另一端均接地；隔离驱动电路的③端与主开关电路（2）的稳压管D的负极、主开关管Q1的栅极并联连接，主开关管Q1的集电极⑤端通过快速熔断丝（3）、控制开关K连接S端。

3.根据权利要求1所述的一种无触点电子继电器的保护电路，其特征在于：所述的自毁保护电路（1）应用于主开关管Q1为高边状态、且采用控制芯片+功率管模式时，它由控制芯片、功率管Q2、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的⑤端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与主开关电路（2）的发射极、直流负载的一端并联连接，功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、直流负载的另一端、控制芯片MCU的②端、电源E的负端均接地；

控制芯片MCU的⑦端并联连接隔离驱动电路、主开关电路（2）稳压管D的正极，控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝（3）与主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极、隔离驱动电路、控制芯片MCU的④端并联连接，控制芯片MCU的③端与隔离驱动电路的输入端连接，隔离驱动电路的输出⑥端并联连接主开关电路（2）的主开关管Q1的栅极、稳压管D的负极。

4.根据权利要求1所述的一种无触点电子继电器的保护电路，其特征在于：所述的自毁保护电路（1）应用于主开关管Q1为低边状态、且采用分立元件+功率管模式时，它由功率管Q2、NPN型三极管Q3、PNP型三极管Q4、电阻R1～R7、电容C、稳压管D1、压敏电阻RV组成；

功率管Q2的栅极通过NPN型三极管Q3、电阻R5、电阻R4与S端连接，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的集电极与电阻R7、PNP型三极管Q4的发射极、快速熔断丝、直流负载的①端并联连接，直流负载的②端与主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极连接；

NPN型三极管Q3的基极并联连接有电阻R3、电阻R5，电阻R3接地；主开关电路（2）的主开关管Q1的栅极并联连接有电阻R5、电阻R4，主开关管Q1的栅极通过电阻R4与S端连接；功率管Q2的发射极、稳压管D1的正极、电容C、电阻R2、NPN型三极管Q3的发射极均接地，主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极通过电阻R6连接PNP型三极管Q4的基极，PNP型三极管Q4的集电极通过电阻R1并联连接功率管Q2的栅极、NPN型三极管Q3的集电极。

5.根据权利要求1所述的一种无触点电子继电器的保护电路，其特征在于：所述的自毁保护电路（1）应用于主开关管Q1为低边状态、且采用控制芯片+功率管模式时，它由控制芯片、功率管Q2、压敏电阻RV、稳压管D1组成；

功率管Q2的栅极并联连接控制芯片MCU的③端、稳压管D1的负极，功率管Q2的集电极与地间连接有压敏电阻RV，功率管Q2的发射极接地；控制芯片MCU的①端通过S端、控制开关K、快速熔断丝（3）并联连接直流负载的一端、功率管Q2的集电极、控制芯片MCU的④端；控制芯片MCU的②端、稳压管D1的正极、功率管Q2的发射极均接地；控制芯片MCU的⑥端并联连接主开关电路（2）的主开关管Q1的集电极、直流负载的另一端；控制芯片MCU的⑤端与主开关管Q1的基极连接。