[发明专利]一种确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体探测器领域，具体涉及一种确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法。

背景技术

近年来紫外探测技术迅猛发展，其核心是制备灵敏度高、噪声低的紫外探测器，其关键是研制性能稳定、敏感波段满足被测环境要求的宽带隙半导体材料，其中GaN(氮化镓)基材料已经成为我国紫外敏感材料的研究重点。GaN基材料可见光盲的紫外光响应，即实现紫外传感器只对所需紫外波段响应，需要向其晶格中掺入高含量的Al元素。在日盲区紫外探测范围，A1GaN(氮化铝镓)合金具有禁带宽度大、导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性高等优点。随着A1GaN合金组分的改变，禁带宽度在3.4～6.2eV之间连续可调，对应截止波长范围为200～365nm，能在不受可见光辐射的影响下探测日盲区特性。通过控制Al组分含量可以实现对紫外响应波段的调节，从而提高紫外探测器的探测精度和灵敏度，因此准确测定Al组分含量至关重要。

用MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)在蓝宝石衬底上生长Al_xGa_1-xN，其Al组分的准确确定，能更好的反映生长状态，指导生长条件。目前可用于半导体外延膜中成分量的测试技术主要有高分辨X射线衍射法、光致发光法、紫外-可见光透射光谱法、电子探针法、卢瑟福背散射法、电感耦合等离子体原子发射光谱法等。

从国内外报道来看，这些测试技术针对AlGaN外延膜材料中Al组分含量的测定都不太准确，只有英国nanometrics公司在2014年实验性搭建的一套光致发光测试仪，其测试出的Al组分与实际组分非常接近，但是其只能测试单层或顶层。另外，X射线衍射法能够较准确测试，现有的X射线衍射法包括：对图1所示的紫外探测器样品先做一个002方向的三轴倒易空间扫描(RSM)，再将样品旋转90度做一个三轴倒易空间扫描；同样地，在104方向也将做一组这样的三轴倒易空间扫描；最后把这四个倒易空间图用X射线衍射仪配置的分析软件进行计算，就可以得到Al组分。但是，做每一个倒易空间扫描至少需要16小时以上，因此要完成一个这样的样品分析，至少需要60小时以上的测试时间，大大增加了仪器的运行时间，导致测试效率低下。

发明内容

针对现有技术中X射线衍射法测试时间太长，导致测试效率低下的技术问题，本发明提供一种确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法，该测试方法包括以下步骤：

S1、利用X射线衍射仪的数据收集软件，以紫外探测器用外延材料样品中的AlN缓冲层作为假设衬底，在样品的104方向找出最强峰，以此最强峰为中心做一个ω-2θ同步单扫描曲线，再根据所测试的样品在该曲线上根据最表层外延层倒易空间扫描图的峰值角度，找到一个介于表层与AlN缓冲层峰值角度之间的中心点；

S2、根据这个中心点的角度值，选择ω扫描范围和步进以及ω-2θ扫描范围和步进，再进入数据收集软件做样品的104方向倒易空间扫描；

S3、从倒易空间扫描图谱中得到样品的弛豫度R_S；

S4、继续以该样品中的AlN缓冲层为假设衬底，做一个含盖AlN缓冲层及其外延层002方向的ω-2θ单扫描曲线；

S5、根据所述样品的弛豫度R_S计算出样品实际的平均弛豫度R，在X射线衍射仪的数据分析软件中，再根据所述各个外延层的平均弛豫度R，调整各外延层的Al组分进行拟合，得到一个与步骤S4中测试的所述002方向的ω-2θ单扫描曲线相吻合的摇摆曲线，并根据该摇摆曲线从分析软件中得到各外延层的组分，从而达到确定AlGaN外延层中的Al组分。

本发明提供的确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法，只测试一个104方向倒易空间扫描图和一个002方向的ω-2θ单扫描曲线，而且是把AlN缓冲层作为假设衬底，这样扫描的角度间距减小3度左右，测试的图谱减小，所以测试时间也相应减少，测试分析一个样品的时间最多18小时左右，大大减少了仪器运行时间，测试效率高，并且分析方法更简单；同时，本发明不仅能够测试多层全结构组分，还可以做到无损检测；另外，相对于背景技术光致发光法中需要购买光致发光测试仪来测试波长，本发明可以节约购置仪器及其它费用至少40万美元以上，所以有效降低了测试成本。