[发明专利]一种列修复方法和装置

说明书

本发明提供了一种列修复方法和装置，其中，所述方法包括：检测主存储阵列中的当前列是否正常；当所述当前列为坏列时，从芯片中预设的冗余列中选择一个可用且未被占用的列作为替换列；将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息，修改为已被占用；将所述当前列的地址写入到所述替换列对应的锁存器中。

技术领域

本发明涉及芯片存储技术领域，特别是涉及一种芯片中的列修复方法和装置。

背景技术

由于NAND FLASH BLOCK即闪存记忆体块中每个string即字符串对应的存储单元是串联的，由于存储单元是串联的，因此在制造的过程中string对应的存储单元出现错误的概率将加大，所以在芯片出厂前，需要对芯片中的存储单元进行检测，并需要对错误的string所在的整个column即列进行修复，以提高产品的良率。

现有的对错误的string所在的整个列进行修复的方法如下：

在芯片内部会预设一些redundancy column(即冗余列)修复资源，测试时经过检测将出现错误string的整个column用redundancy column替换。但是，在替换时，由于redundancy column中存在较多的冗余列修复资源，且冗余列中还可能存在坏列，因此，在选择用于替换的列时，所选择的列可能是已经被其他主存储阵列坏的column占用的，或者是坏列，这将导致修复的可靠性无法保证。

可见，现有的列修复方法中存在的问题为：无法提供充足的、可靠的列修复资源；当有较多的修复资源时，不能快速准确地定位到正常的、未被占用的冗余列。

发明内容

本发明提供了一种列修复方法和装置，以解决现有技术方案无法提供充足的、可靠的列修复资源；以及当有较多的修复资源时，不能快速准确地定位到正常的、且未被占用的冗余列的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种列修复方法，包括：检测主存储阵列中的当前列是否正常；当所述当前列为坏列时，从芯片中预设的冗余列中选择一个可用且未被占用的列作为替换列；将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息，修改为已被占用；将所述当前列的地址写入到所述替换列对应的锁存器中。

优选地，冗余的列中的每个列对应有地址修复信息，其中，所述地址修复信息包含第一标识位、以及第二标识位，以及主存储阵列中列的地址信息；其中，第二标识位中的信息用于指示其所对应的列是否为正常的列，所述第一标识位中的信息用于指示其所对应的列是否已被占用；所述从芯片中预设的冗余列中选择一个可用、且未被占用的列作为替换列的步骤包括：从所述冗余的列的起始地址开始扫描，依次扫描各列的地址修复信息包含的第一标识位、以及第二标识位，直至扫描到某一列的地址修复信息包含的第二标识位中信息为指示其所对应的列为正常，所述第一标识位中的信息为指示其所对应的列未被占用时，将扫描到的所述地址修复信息对应的列作为所述替换列。

优选地，在所述检测主存储阵列中的当前列是否正常的步骤之前，所述方法还包括：分别判断所述预设的冗余列中的各列是否为正常列；将坏列的第二标识位中的信息修改为指示列为坏列的信息。

优选地，在所述将所述当前列的地址写入到所述替换列对应的锁存器中的步骤之后，所述方法还包括：将所述替换列对应的锁存器中的地址修复信息固化至所述主存储阵列的特定位置。

优选地，在所述将所述替换列对应的锁存器中的地址修复信息固化至所述主存储阵列的特定位置的步骤之后，所述方法还包括：在芯片上电后，将所述特定位置中固化的地址修复信息读出并锁存至所述替换列对应的锁存器中；当读写所述当前列时，将所述当前列对应的地址与所述替换列对应的锁存器中包含的地址进行比对，当比对结果匹配时，则直接访问所述替换列。