[发明专利]一种掩膜版、曝光装置及曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种掩膜版、曝光装置及曝光方法。

背景技术

彩色滤光片(Color Filter，CF)一般由黑矩阵(Black Matrix，BM)、着色层(Red Green Blue，RGB)、覆盖层(Over Coat，OC)/电极层(Indium-Tin Oxide，ITO)与支撑柱(Pillar Spacer，PS)等生产工序组成；其中BM、RGB、PS这几道工序在生产时存在曝光和显影作业；影响曝光图形线宽的因素主要有曝光量的照度、Dev的电导率以及相应Mask的开口宽。

由于显影过程中为倾斜显影，导致在显影过程中出现显影不均的情况。显影不均是由于在进行显影(Develop，Dev)过程中，由于玻璃基板(Glass)倾斜导致已参与显影的药液通过流动，流到Glass下部，在流动过程中变相稀释其他区域的显影浓度，导致显影不均。同时由于曝光机受中心光线影响，设备照度也存在偏移，也会影响该显影过程的线宽(Critical Dimension，CD)分布情况。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种掩膜版、曝光装置及曝光方法。能够提高产品线宽的均匀性。

基于上述目的本发明提供的掩膜版，包括基板以及设置在基板上的多个开口图形，在利用所述掩膜版对目标基板进行曝光时，基板上第一区域中的开口图形的光线透过量大于基板第二区域中的光线透过量，使得第一区域中多于第二区域的光线透过量能够对第二区域所对应的产品区域中的线宽进行补偿，令产品线宽的一致度大于设定值；所述第一区域和第二区域为基板上的两个区域。

可选的，所述第一区域的开口图形的开口宽度大于所述第二区域的开口图形的开口宽度。

同时，本发明提供一种曝光装置，包括掩膜版，所述掩膜版包括基板以及设置在基板上的多个开口图形，基板上第一区域中的光线透过量大于基板第二区域中的开口图形的光线透过量，使得第一区域中多于第二区域的光线透过量能够对第二区域所对应的产品区域中的线宽进行补偿，令产品线宽的一致度大于设定值；所述第一区域和第二区域为基板上的两个区域。

可选的，所述第一区域的开口图形的开口宽度大于所述第二区域的开口图形的开口宽度。

可选的，所述曝光装置还包括：

设置在开口图形上的滤光片，所述第一区域中滤光片的光线透过率大于所述第二区域中滤光片的光线透过率。

可选的，所述曝光装置还包括：

用于投射光线的光线投射模块；所述光线投射模块向第一区域投射的光线量与向第二区域投射的光线量不同，使得基板上第一区域中的光线透过量大于基板第二区域中的光线透过量。

可选的，所述基板的第三区域开口宽度大于所述基板的第四区域开口宽度；所述第三区域和所述第四区域为基板上的两个区域；所述光线投射模块向所述第三区域投射的光线强度小于向所述第四区域投射的光线强度。

进一步，本发明提供一种曝光方法，包括如下步骤：

采用本发明任意一项实施例所提供的曝光装置对目标基板进行曝光，所述目标基板第五区域接收到的曝光量大于所述目标基板第六区域接收到的曝光量，其中，所述第五区域和所述第六区域为所述目标基板上的两个区域；所述第五区域与所述掩膜版基板的第一区域对应，所述第六区域与所述掩膜版的第二区域对应。

可选的，所述曝光方法还包括：

显影步骤，对曝光后的目标基板进行显影。

可选的，所述显影步骤具体包括：

将所述目标基板放置入显影液中，所述目标基板第五区域与所述显影液水平面的距离大于所述目标基板第六区域与所述显影液水平面的距离。

从上面所述可以看出，本发明提供的掩膜版、曝光机及曝光方法，能够根据显影时显影液的浓度不均的现象，对掩膜版或曝光机进行改进，使得掩膜版一部分区域的光线透过量大于另一部分区域的光线透过量，从而在显影时，将目标基板浸入显影液进行显影，曝光量较多的部分与显影液浓度低的位置相对应，曝光量较少的部分与显影液浓度高的位置相对应，从而对目标基板上因为倾斜显影而产生的产品线宽不一致进行补偿；使得在实际线宽小于设计线宽的区域中，产品线宽增加；同时使得在实际线宽小于设计线宽的区域中，产品线宽减少。从而实现了令目标基板上的线宽一致度大于某一设定值，提高了线宽的一致性。

附图说明

图1为本发明实施例的掩膜版结构示意图；

图2为曝光显影过程中的倾斜显影示意图；

图3为曝光机曝光原理示意图；