[发明专利]一种掩膜版、曝光装置及曝光方法

权利要求书

1.一种掩膜版，包括基板以及设置在基板上的多个开口图形，其特征在于，在利用所述掩膜版对目标基板进行曝光时，基板上第一区域中的开口图形的光线透过量大于基板第二区域中的光线透过量，使得第一区域中多于第二区域的光线透过量能够对第二区域所对应的产品区域中的线宽进行补偿，令产品线宽的一致度大于设定值；所述第一区域和第二区域为基板上的两个区域；所述第一区域对应所述目标基板上显影液浓度低的位置，所述第二区域对应所述目标基板上显影液浓度高的位置。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一区域的开口图形的开口宽度大于所述第二区域的开口图形的开口宽度。

3.一种曝光装置，包括掩膜版，所述掩膜版包括基板以及设置在基板上的多个开口图形，其特征在于，在利用所述掩膜版对目标基板进行曝光时，基板上第一区域中的光线透过量大于基板第二区域中的开口图形的光线透过量，使得第一区域中多于第二区域的光线透过量能够对第二区域所对应的产品区域中的线宽进行补偿，令产品线宽的一致度大于设定值；所述第一区域和第二区域为基板上的两个区域；所述第一区域对应所述目标基板上显影液浓度低的位置，所述第二区域对应所述目标基板上显影液浓度高的位置。

4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述第一区域的开口图形的开口宽度大于所述第二区域的开口图形的开口宽度。

5.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括：

设置在开口图形上的滤光片，所述第一区域中滤光片的光线透过率大于所述第二区域中滤光片的光线透过率。

6.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括：

用于投射光线的光线投射模块；所述光线投射模块向第一区域投射的光线量与向第二区域投射的光线量不同，使得基板上第一区域中的光线透过量大于基板第二区域中的光线透过量。

7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述基板的第三区域开口宽度大于所述基板的第四区域开口宽度；所述第三区域和所述第四区域为基板上的两个区域；所述光线投射模块向所述第三区域投射的光线强度小于向所述第四区域投射的光线强度。

8.一种曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用权利要求3-7中任意一项所述的曝光装置对目标基板进行曝光，所述目标基板第五区域接收到的曝光量大于所述目标基板第六区域接收到的曝光量，其中，所述第五区域和所述第六区域为所述目标基板上的两个区域；所述第五区域与所述掩膜版基板的第一区域对应，所述第六区域与所述掩膜版的第二区域对应；

所述曝光方法还包括：显影步骤，对曝光后的目标基板进行显影；

所述显影步骤具体包括：

将所述目标基板放置入显影液中，所述目标基板第五区域与所述显影液水平面的距离大于所述目标基板第六区域与所述显影液水平面的距离。