[发明专利]集成电路与自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括一自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路，该自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路包括：

一结合式电流和电压参考电路，用以提供一参考电流、一第一参考电压与一第二参考电压，其中该结合式电流和电压参考电路包括一电路支路，该电路支路由彼此串联耦接的一第一P型金属氧化物半导体晶体管，一电阻与一第一N型金属氧化物半导体晶体管所组成，并且该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管是以二极管接法所连接；以及

一信号产生电路，包括一电容，该信号产生电路是用以在该第一参考电压与该第二参考电压之间对该电容充电与放电，

其中该自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路是用以在该电容的一节点提供一斜坡信号，并在该信号产生电路的一输出端提供一振荡器输出信号；

在该结合式电流和电压参考电路中，

该第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极是耦接至一电源；

该第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是耦接至一第一节点，该第一节点耦接至该电阻的第一端；

该第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极是耦接至一接地端；

该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极是耦接至一第二节点，该第二节点是耦接至该电阻的第二端；

其中该结合式电流和电压参考电路是用以：

在该第一节点提供该第一参考电压；

在该第二节点提供该第二参考电压；并且

提供该参考电流，其中该参考电流在该第一节点与该第二节点之间流经该电阻；

该结合式电流和电压参考电路更包括一温度系数补偿电路，耦接在第一节点与该第二节点之间，该温度系数补偿电路包括：

串联耦接在该电源与该接地端之间的一第一晶体管、一第二晶体管与一电阻；

串联耦接在该电源与该接地端之间的一第三晶体管与一第四晶体管，其中：

该第一晶体管与该第三晶体管具有相同的通道宽长比，且形成一第一电流镜；

该第二晶体管比该第四晶体管具有更大的通道宽长比；并且

该第二晶体管与该第四晶体管形成一第二电流镜；

一第五晶体管，其源极耦接至该电源，该第五晶体管的栅极耦接至该第一晶体管与该第三晶体管的栅极，该第五晶体管的漏极用以耦接至该结合式电流和电压参考电路的该第一节点；以及

一第六晶体管，其源极耦接至该接地端，该第六晶体管的栅极耦接至该第二晶体管与该第四晶体管的栅极，该第六晶体管的漏极用以耦接至该结合式电流和电压参考电路的该第二节点。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该自偏压电阻电容振荡器和斜坡产生器电路是用以提供1/(2R₀C₀)的振荡器频率，R₀为该电阻的电阻值，C₀为该电容的电容值。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该信号产生电路包括：

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，耦接至该第一P型金属氧化物半导体晶体管以形成一第一电流镜；

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，耦接至该第一N型金属氧化物半导体晶体管以形成一第二电流镜；

一第一差动对电路，耦接至该第二P型金属氧化物半导体晶体管以接收该参考电流，该第一差动对电路包括一第三P型金属氧化物半导体晶体管与一第四P型金属氧化物半导体晶体管；以及

一第二差动对电路，耦接至该第二N型金属氧化物半导体晶体管以接收该参考电流，该第二差动对电路包括一第三N型金属氧化物半导体晶体管与一第四N型金属氧化物半导体晶体管，

其中该第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和该第三N型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接至一第三节点，该第三节点耦接至该电容以对该电容充电与放电，该第三节点也用以提供该斜坡信号。