[发明专利]用于阵列探测器的CMOS单刀多掷开关

权利要求书

1.一种用于阵列探测器的CMOS单刀多掷开关，其特征是，包含一个输入端口IN、一个直流电平端口V和多个输出端口OUT；其中，每个输出端口OUT连接一个单刀双掷开关的单端，单刀双掷开关的双端分别与输入端口IN、直流电平端口V相连；直流电平端口V的电压与输出端口OUT的直流电压相同。

2.如权利要求1所述的用于阵列探测器的CMOS单刀多掷开关，其特征是，所述单刀双掷开关是由PMOS或NMOS单独组成，或者由PMOS和NMOS共同组成；当由PMOS和NMOS共同组成时，单刀多掷开关包含三个由PMOS和NMOS组成的开关S1、S2和S3，以及一个由PMOS和NMOS组成的反相器N，输入端口IN与输出端口OUT之间串联了两级开关S1和S2实现通断，当控制端高电平时，控制端与反相器控制构成S1的两个CMOS管MP1、MN1和构成S2的两个CMOS管MP2、MN2断开；控制构成S3的两个CMOS管MP3和MN3闭合，即开关S1和S2断开，开关S3闭合，输入端口IN与输出端口OUT断开，输出端口OUT与直流电平端口V导通；当控制端置为低电平时，输入端口IN与输出端口OUT道通，输出端口OUT与直流电平端口V断开。

3.如权利要求1所述的用于阵列探测器的CMOS单刀多掷开关，其特征是，所述的单刀双掷开关输入端口IN与输出端口OUT之间的导通电阻为50-10K欧姆；直流电平端口V与输出端口OUT之间的导通电阻为1-10K欧姆。

4.如权利要求1所述的用于阵列探测器的CMOS单刀多掷开关，其特征是，与阵列探测器和控制单元组合应用：阵列探测器中的每个探测器的一端连接一个输出端口OUT，每个探测器的另一端连接直流电平端口V，控制单元连接单刀双掷开关控制端进行开关连接选择。

5.如权利要求1所述的用于阵列探测器的CMOS单刀多掷开关，其特征是，输入端口IN与输出端口OUT之间串联了两级开关S1和S2实现通断,两级开关可为单一开关、串联三级、串联多级开关中的任一种代替。