[发明专利]一种基于加速退化轨迹的电路寿命预测方法有效
申请号: | 201510548755.X | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN105182218B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 梅亮;张虹;张碚;高成;黄姣英 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 加速 退化 轨迹 电路 寿命 预测 方法 | ||
本发明公开了一种基于加速退化轨迹的电路寿命预测方法,包括:指定相同种类的多个待测元器件,对多个待测元器件进行加速退化实验,测试并记录多个待测元器件的性能退化参数;根据多个待测元器件的性能退化参数确定敏感参数,并对多个待测元器件的性能退化参数的样本序列进行平稳化处理;获得ARIMA模型参数,根据多个待测元器件的性能退化参数建立ARIMA模型,并将ARIMA模型更新为敏感参数轨迹的拟合模型;将拟合模型与样本序列进行对比判定拟合模型是否有效,并对有效的拟合模型评定拟合精度;根据拟合精度预测敏感参数轨迹的走势,敏感参数轨迹的走势为电路寿命的预测结果。
技术领域
本发明涉及电路测试领域,特别地,涉及一种基于加速退化轨迹的电路寿命预测方法。
背景技术
集成电路作为各类电子设备的基本组成元器件,其可靠性直接影响着整个设备的性能及可靠性,可靠性技术对集成电路产业的发展起着非常重要的作用。能够评估和预测产品的可靠性是集成电路设计和生产中不可分割的部分,然而随着微电子技术和半导体制造工艺水平的不断向前发展,集成电路的可靠性水平越来越高,寿命也越来越长,这就对集成电路的可靠性评价提出了更高的要求,而现有技术中尚不存在一个能在较短时间内对这些高可靠、高寿命的元器件进行评价、合理并及时地提供相关的可靠性信息的解决方案。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种基于加速退化轨迹的电路寿命预测方法,能够能在较短时间内对这些高可靠、高寿命的元器件进行评价、合理并及时地提供相关的可靠性信息,更准确、更快速地评估了元器件与集成电路的预期寿命。
基于上述目的本发明提供的基于加速退化轨迹的电路寿命预测方法包括:
指定相同种类的多个待测元器件,对多个待测元器件进行加速退化实验,测试并记录多个待测元器件的性能退化参数;
根据多个待测元器件的性能退化参数确定敏感参数,并对多个待测元器件的性能退化参数的样本序列进行平稳化处理;
获得ARIMA模型参数,根据多个待测元器件的性能退化参数建立ARIMA模型,并将ARIMA模型更新为敏感参数轨迹的拟合模型;
将拟合模型与样本序列进行对比判定拟合模型是否有效,并对有效的拟合模型评定拟合精度;
根据拟合精度预测敏感参数轨迹的走势,敏感参数轨迹的走势为电路寿命的预测结果。
其中,对多个待测元器件进行加速退化实验,为将多个待测元器件设置于异常工作环境下,在外部电路的控制下进行工作。
并且,异常工作环境可以是高温、高气压、高电压、水中的一种或多种;多个待测元器件的性能退化参数可以是任一管脚上的电流、任两管脚之间的电压中的一种或多种。
其中,根据多个待测元器件的性能退化参数确定敏感参数,并对多个待测元器件的性能退化参数的样本序列进行平稳化处理包括:
根据DF检验法检验多个待测元器件的性能退化参数的样本序列是否平稳;
若多个待测元器件的性能退化参数的样本序列不平稳,则从多个待测元器件的性能退化参数中选取随时间变化体现出不平稳性的一个或多个参数作为敏感参数,其中,多个参数敏感参数之间具有明显的相关性;
使用差分法对不平稳的样本序列进行处理,使之在DF检验法下平稳。
其中,获取ARIMA模型参数,根据多个待测元器件的性能退化参数建立ARIMA模型,为获取ARIMA模型的p、d、q参数,并根据多个待测元器件的性能退化参数与p、d、q参数建立ARIMA模型。
并且,获取ARIMA模型的p、q参数的方法可以是样本自相关函数和偏相关函数法、延伸自相关系数法、最小典型相关法、最小信息准则法中的一种。
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