[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示面板是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。随着平面显示技术的发展，具有高像素、更低能耗的液晶显示面板的需求被提出。非晶硅的电子迁移率较低，而低温多晶硅(LowTemperaturePloy-silicon，LTPS)可以在低温下制作，且拥有比非晶硅更高的电子迁移率。其次，低温多晶硅制作的开关器件可应用于使液晶显示面板具有更高的分辨率和低能耗。因此，低温多晶硅得到了广泛地应用和研究。目前，基于LTPS的高像素的液晶显示面板要求精准的工艺制程以及优化的像素设计。其中，像素设计中的数据线(dataline)的宽度是一个重要的考量指标，较小宽度的数据线的宽度将带来开口率的提高，这也对数据线上连接低温多晶硅层的贯孔的设计提高了要求。设计上需要设计较小宽度的数据线，然而，与数据线相连的源极需要通过所述贯孔与低温多晶硅相连，在工艺上，所述贯孔受到光阻曝光机极限的限制，无法做的更小。为了防止蚀刻所述贯孔时将所述贯孔蚀刻过大而引起的漏光问题，处于所述贯孔连接处的数据线、源极以及所述低温多晶硅层的宽度通常会分别比所述贯孔连接处以外的数据线、源极及低温多晶硅层的宽度较大，然而，这样一来，影响了液晶显示面板的开口率。进一步地，处于所述贯孔连接处的数据线、源极以及低温多晶硅层的电场效应会影响到液晶的倒向，从而需要在彩膜基板上设置更宽的黑矩阵层去遮挡，进一步影响了液晶显示面板的开口率。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基板；

遮光层，设置在所述基板的表面的中部；

缓冲层，覆盖所述遮光层上；

低温多晶硅层，设置在所述缓冲层上，且与所述遮光层相对应；

绝缘层，覆盖所述低温多晶硅层，所述绝缘层上设置贯孔，其中，所述贯孔的宽度小于所述遮光层的宽度；

金属层，设置在所述绝缘层上，且所述金属层通过所述贯孔与所述低温多晶硅层相连。

其中，所述绝缘层为栅极绝缘层。

其中，所述金属层包括数据线及与所述数据线相连的源极，所述金属线各处的宽度相等，所述源极邻近所述数据线的部分对应所述贯孔设置，且通过所述贯孔与所述低温多晶硅层相连。

其中，所述遮光层的宽度大于所述金属层的宽度，且所述遮光层的宽度大于或等于所述贯孔的宽度。

其中，所述遮光层的材料为金属。

其中，所述遮光层的材料包括Mo。

其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括所述低温多晶硅层，所述绝缘层及所述金属层，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或者为底栅型薄膜晶体管。

其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：

平坦层，覆盖在所述金属层上；

第一透明导电层，覆盖在所述平坦层上；

钝化层，覆盖在所述第一透明导电层上；

第二透明导电层，覆盖在所述钝化层上。

其中，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极层。

本发明还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括前述任意实施方式所述的薄膜晶体管阵列基板。

相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管阵列基板以及包括所述薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板，在所述基板的表面的中部设置一层遮光层，且低温多晶硅层通过一缓冲层与所述遮光层对应设置，所述绝缘层覆盖所述低温多晶硅层且所述绝缘层上设置贯孔，且所述贯孔的宽度小于所述遮光层的宽度，所述金属层设置在所述绝缘层上，且所述金属层通过所述贯孔与所述低温多晶硅层相连。由此可见，本发明的薄膜晶体管阵列基板在所述基板的表面上设置遮光层，且所述遮光层通过所述缓冲层与所述低温多晶硅层以及所述金属层电性绝缘，因此，所述遮光层的设置不会引入电场效应，进而不会影响到液晶的导向，从而有利于提升所述薄膜晶体管阵列基板所应用到的液晶显示面板的开口率。进一步地，由于本发明的薄膜晶体管阵列基板不会影响到液晶的导向，因此，本发明中的薄膜晶体管阵列基板中也不需要在彩膜基板上设置更宽的黑矩阵层去遮挡，进一步提升了所述薄膜晶体管阵列基板所应用到的液晶显示面板的开口率。。

附图说明