[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板在审
| 申请号： | 201510540298.X | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105093755A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈归;陈彩琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 液晶显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
基板；
遮光层，设置在所述基板的表面的中部；
缓冲层，覆盖所述遮光层上；
低温多晶硅层，设置在所述缓冲层上，且与所述遮光层相对应；
绝缘层，覆盖所述低温多晶硅层，所述绝缘层上设置贯孔，其中，所述贯孔的宽度小于所述遮光层的宽度；
金属层，设置在所述绝缘层上，且所述金属层通过所述贯孔与所述低温多晶硅层相连。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为栅极绝缘层。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属层包括数据线及与所述数据线相连的源极，所述金属线各处的宽度相等，所述源极邻近所述数据线的部分对应所述贯孔设置，且通过所述贯孔与所述低温多晶硅层相连。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述遮光层的宽度大于所述金属层的宽度，且所述遮光层的宽度大于或等于所述贯孔的宽度。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料为金属。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料包括Mo。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括所述低温多晶硅层，所述绝缘层及所述金属层，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或者为底栅型薄膜晶体管。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：
平坦层，覆盖在所述金属层上；
第一透明导电层，覆盖在所述平坦层上；
钝化层，覆盖在所述第一透明导电层上；
第二透明导电层，覆盖在所述钝化层上。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极层。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求1～9任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510540298.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示像素结构及其制作方法
- 下一篇：低温多晶硅阵列基板的修补方法
