[发明专利]液晶面板及其阵列基板

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种液晶面板及其阵列基板，尤其涉及一种低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板。

背景技术

随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。

目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-SiTFT)，但a-SiTFTLCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)TFTLCD与a-SiTFTLCD相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。

LTPSTFT的制程比较复杂，其一般需要十几道制程来制作。尤其针对采用FFS(FringeFieldSwitching，边缘场切换)显示模式的LTPSTFTLCD而言，要求液晶面板的阵列基板的表面需要具有非常高的平整度。目前通常的做法是形成一层有机平坦层来使阵列基板的表面的平整度达到要求。

然而，针对阵列基板的玻璃上芯片(ChipOnGlass，简称COG)和玻璃上挠性印刷线路板(FlexiblePrintedcircuit，简称FPC)邦定(Bonding)区而言，由于该有机平坦层较厚，所以顶层的导电膜层(其通常作为像素电极膜层)和底层的栅极金属块之间的间隔较大，二者的接触阻抗较大，从而无法保证二者的接触良性，进而影响液晶面板的显示效果。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种用于液晶面板的阵列基板，包括基板以及位于基板边缘的外部引线连接区，其中，所述外部引线连接区包括：在所述基板上的若干栅极金属块；在所述栅极金属块上的钝化层；在所述钝化层中的若干通孔；其中，所述通孔露出对应的所述栅极金属块的表面；在所述钝化层上的导电膜层；其中，所述导电膜层通过所述通孔接触所述栅极金属块的表面。

进一步地，所述若干栅极金属块等间隔排布在所述基板上。

进一步地，所述外部引线连接区中具有所述栅极金属块的区域为玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区。

进一步地，所述钝化层还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区之外的区域。

进一步地，所述导电膜层还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区之外的区域。

进一步地，所述基板为透明玻璃基板或者透明树脂基板。

进一步地，所述导电膜层采用氧化铟锡形成。

本发明的另一目的还在于提供一种液晶面板，包括对盒设置的阵列基板和彩色滤光片基板，其中，所述阵列基板为上述的阵列基板。

本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明中通过将外部引线连接区中的有机平坦层去除，以减小顶层的导电膜层和底层的栅极金属块之间的间距，从而减小二者之间的接触阻抗，以保证二者的接触良性，进而提高液晶面板的显示效果。此外，在实际生产过程中，由于外部引线连接区中不包括有机平坦层，所以外部引线连接区中的玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区和除玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区之外的区域之间高度差大大减小，这样在一块大基板上形成若干阵列排布的阵列基板时，与某一阵列基板的外部引线连接区相邻的阵列基板的显示区二者在进行摩擦取向操作时摩擦强度的差异极小，从而大幅度降低相邻的阵列基板的摩擦不均匀性。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；

图2是根据本发明的实施例的阵列基板的OLB区以及OLB区中的CFB区的侧视示意图；

图3是根据本发明的实施例的若干阵列排布的图1所示的阵列基板的示意图；

图4是根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。

具体实施方式