[发明专利]一种横向RC-IGBT器件有效
| 申请号： | 201510486739.2 | 申请日： | 2015-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN105185826B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 任敏;郭绪阳;杨珏琳;蔡果;牛博;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 rc igbt 器件 | ||
1.一种横向RC-IGBT器件，其元胞结构包括P型衬底(20)、位于P型衬底(20)中的N型漂移区(7)、位于N型漂移区(7)一侧的发射极结构和栅极结构、位于N型漂移区(7)另一侧的集电极结构；所述发射极结构包括金属发射极(1)、P型基区(5)和N+发射区(4)，所述P型基区(5)位于N型漂移区(7)中，所述N+发射区(4)位于P型基区(5)中，所述金属发射极(1)位于P型基区(5)和N+发射区(4)的上表面；所述集电极结构包括P+集电区(9)、N+集电极短路区(10)、金属集电极(3)和N型电场阻止层(8)，所述N型电场阻止层(8)位于N型漂移区(7)中，所述P+集电区(9)位于N型电场阻止层(8)中，所述N+集电极短路区(10)位于P+集电区(9)和N型电场阻止层(8)靠近发射极结构的一侧并与于P+集电区(9)和N型电场阻止层(8)连接，所述金属集电极(3)位于P+集电区(9)的上表面；所述栅极结构由多晶硅栅电极(2)和栅氧化层(6)构成，所述多晶硅栅电极(2)发射极结构与集电极结构之间的N型漂移区(7)和P型基区(5)上方，所述多晶硅栅电极(2)与发射极结构、N型漂移区和集电极结构之间具有栅氧化层(6)；其特征在于，所述集电极结构还包括N型电阻区(11)，所述N型电阻区(11)位于P+集电区(9)中，其侧面与N+集电极短路区(10)连接，N型电阻区(11)的上表面与金属集电极(3)连接，所述N型电阻区(11)和金属集电极(3)的形成方法为：根据传统的横向IGBT表面工艺，光刻并小剂量注入N型杂质形成N型电阻区(11)，光刻孔，并沉积金属形成金属集电极(3)；所述传统的横向IGBT表面工艺是指，依次完成的工艺步骤为：制作终端区、完成横向IGBT的MOS工艺、注入N型杂质形成N型电场阻止层(8)、注入P型杂质形成P+集电区(9)、光刻并注入大剂量N型杂质形成N+集电极短路区(10)；
当阴极电压高于P型基区(5)与N-漂移区(7)形成的PN结开启电压后器件导通。
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