[发明专利]一种液晶面板、TFT基板及其检测方法有效

专利信息
申请号: 201510483335.8 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN105093743B 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 刘桓 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 518006 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 液晶面板 tft 及其 检测 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种液晶面板、TFT基板及其检测方法。

背景技术

在大视角的液晶显示器中,通常将像素单元分为主像素区(Main区)和辅像素区(Sub区),并使得Sub区的电压低于Main区的电压。为了使得Sub区的电压低于Main区的电压,“电荷分享”(charge-sharing)是一种常用的方式,具体请参阅图1,图1为现有技术的采用“电荷分享”方式的像素单元的结构图。图1所示的像素单元100分为Main区101和Sub区102,当扫描线G11提供扫描驱动信号时,开关管103和104同时打开时,信号线S11(Data)同时向Main区101和Sub区102的像素电极,即ITO(Indium tin oxide氧化铟锡)薄膜充电,然后扫描线G11停止提供扫描驱动信号,共享扫描线G12开始提供扫描驱动信号,开关管105打开,分压电容C11与Sub区102的像素电极导通,分担一部分Sub区102的像素电极上的电荷,使Sub区102的像素电极的电压降低到适当比例,从而与main区101的像素电极一起显示,以形成大视角的效果。

然而图1所示的像素单元100是在4Mask(掩膜)制程的中制得,分压电容C11通常采用MII(双层金属)电容结构,即分压电容C11结构为:M1(第一层金属)、G-SiNx(栅层氮化硅),PA-SiNx(填充氮化层),ITO导电薄膜。然而,对于包含有该MII电容结构的像素单元,在制程过程中很容易因为ITO微粒(particle)的存在,会出现蚀刻残留,容易产生ITO残留,导致Sub区102的ITO与分压电容C11的ITO发生短接(Short)。从而当扫描线G11提供扫描驱动信号时,数据线S11同时对Sub区102像素电极和Main区101像素电极以及分压电容C11充电。当扫描线G11停止提供扫描驱动信号,共享扫描线G12提供扫描驱动信号时,由于分压电容C11的ITO电位与Sub区102的ITO电位相等,分压电容C11无法分担Sub区102电荷,使得分压失效,从而无法拉低Sub区102电位,不能形成大视角的效果。进一步的,还会使得该缺陷像素比正常像素更亮,从而在中低灰阶下产生微亮点,影响液晶面板的品质。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶面板、TFT基板及其检测方法,能够检测出同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否发生短接,从而可以及时进行修补,改善产品品质。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种TFT基板,该TFT基板包括:

多个呈矩阵设置的像素单元,其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容,所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元,第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接,第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元的电容电连接,n为自然数;

其中,对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。

其中,第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区彼此靠近,第2n+1行的所述第一像素单元的主像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的主像素区彼此远离;

第2n+1行的所述第一像素单元的电容设置在其辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元之间,第2n+2行的所述第二像素单元的电容设置在其辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元之间。

其中,同一行像素单元中的主像素区和辅像素区接收的电压信号相等。

其中,所述TFT基板还包括第一扫描线、第二扫描线、共享扫描线、第一开关管和第二开关管,其中:

所述第一扫描线电连接所述第一像素单元;

所述第二扫描线电连接所述第二像素单元;

所述第一开关管分别电连接所述共享扫描线、第2n+1行的第一像素单元的所述辅像素区和第2n+2行的第二像素单元的所述电容;

所述第二开关管分别电连接所述共享扫描线、第2n+2行的第二像素单元的所述辅像素区和第2n+1行的第一像素单元的所述电容;

所述共享扫描线进一步电连接所述第一扫描线,使得对所述第一扫描线提供扫描驱动信号时,所述共享扫描线上的所述第一开关管和所述第二开关管均导通。

其中,对所述第一扫描线和对所述第二扫描线分时提供扫描驱动信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510483335.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top