[发明专利]数据储存器件及其操作方法

说明书

一种数据储存器件包括：存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过从相应的主要区域选择主要页面而形成超级页面，其中在存储器器件中的主要区域的主要页面为坏区域时，所述处理器通过从存储器器件中的虚拟区域选择虚拟页面而非主要页面，而形成虚拟超级页面。

相关申请交叉引用

本申请要求2014年11月11日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0156107的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

各种实施例一般涉及一种半导体装置，尤其涉及最大化半导体存储器装置的交叉存取(interleaving)性能。

背景技术

半导体装置(具体地，半导体存储器装置)可以用于储存数据。存储器装置一般可以分成非易失性类型和易失性类型。

非易失性存储器装置即使被断开电源时仍会保留所储存的数据。非易失性存储器装置可以包括闪存装置，诸如与非(NAND)快闪和或非(NOR)快闪、铁电随机存取存储器(ferroelectric random access memory，FeRAM)、相变随机存取存储器(phase changerandom access memory，PCRAM)、磁阻随机存取存储器(magnetoresistive random accessmemory，MRAM)或电阻随机存取存储器(resistive random access memory，ReRAM)。

易失性存储器装置在断开电源时丢失所储存的数据。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)或动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，DRAM)。由于易失性存储器装置具有相对较高的处理速度，因此在数据处理系统中，易失性存储器装置一般用作缓冲存储器装置、高速缓冲存储器装置、工作存储器装置等。

发明内容

各种实施例针对一种其中交叉存取性能和空间利用效率最大化的数据储存器件。

在实施例中，数据储存器件可以包括：存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过从相应的主要区域选择主要页面而形成超级页面，其中在存储器器件中的主要区域的主要页面为坏区域时，所述处理器通过从在存储器器件中的虚拟区域选择虚拟页面来代替所述主要页面，而形成虚拟超级页面。

在实施例中，数据储存器件可以包括存储器器件，其包括相应的主要区域和相应的虚拟区域；以及处理器，其适合于通过参照坏区域信息而在存储器器件之上形成超级页面或虚拟超级页面，并且以交错方案存取超级页面或虚拟超级页面。

在实施例中，数据储存器件可以包括非易失性存储器器件，其包括主要区域和虚拟区域；以及处理器，其适合于通过参照坏区域信息来存取主要区域或虚拟区域，其中所述坏区域信息包括关于主要区域中被处理为坏区域的主要页面的信息。

附图说明

图1为例示根据实施例的数据储存器件的示例的框图。

图2为例示图1所示的第一存储器器件的示例的框图。

图3至图5为例示由图1所示的超级页面管理单元在第一存储器器件和第二存储器器件之上形成的超级页面和虚拟超级页面的示例的示意图。

图6为辅助说明图1所示的超级页面管理单元的操作方法的流程图。

图7和图8为辅助说明图1所示的超级页面管理单元用于形成超级页面的其他方法的示意图。

具体实施方式