[发明专利]一种AHVA面板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201510473786.3 申请日: 2015-08-05
公开(公告)号: CN105068292A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 曾伟宁;丘兆仟 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 ahva 面板 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种液晶显示技术,尤其涉及一种可增加像素开口率并提升液晶效率的AHVA面板的制造方法。

背景技术

液晶显示装置是目前使用最广泛的一种平板显示装置,可为各种电子设备如移动电话、数码相机、计算机以及个人数字助理(PersonalDigitalAssistant,PDA)等提供具有高分辨率的彩色屏幕。其中,边缘场开关技术(FringeFieldSwitching,FFS)液晶显示装置以其观看视角广及开口率高等特点受到广大用户的喜爱。例如,AHVA(AdvancedHyperViewingAngle,超大视角高清晰度)显示器。

一般来说,AHVA显示器主要包括彩色滤光片基板(ColorFilterSubstrate)、薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate)以及设置在两基板之间的液晶层。其中,彩色滤光片基板包括一玻璃基板、一彩色滤光层和多个黑矩阵,该彩色滤光层依次设有红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。黑矩阵设置于任意相邻的两个滤光片的交界处。阵列基板包括一对向基板、一共通电极层、一绝缘层和一像素电极层,该共通电极层(commonelectrodelayer)位于对向基板的上方且电性耦接至一共通电压(commonvoltage)。像素电极层(pixelelectrodelayer)位于绝缘层的上方,其包括间隔分布的多个像素电极。如我们所熟知,薄膜晶体管的漏极(drain)电性耦接至像素电极,源极(source)电性耦接至数据线,栅极(gate)电性耦接至扫描线。当薄膜晶体管打开时,像素电极通过薄膜晶体管的漏极、薄膜晶体管的源极接收数据线上的数据信号,共通电极层上的共通电极通过共通电极线接收公共信号。液晶层中的液晶分子在数据信号和公共信号的作用下发生偏转,从而使液晶显示装置显示相应的画面内容。

然而,在现有技术中,传统的AHVA面板受制程能力制约,为确保像素电极与薄膜晶体管的漏极可靠的电耦接,平坦层的尺寸须大于绝缘层的过孔尺寸。此外,为避免共通电极对应的光阻滑落造成共通电极与像素电极间出现短路情形,共通电极的尺寸又必须大于平坦层的尺寸。如此一来,绝缘层上开设的过孔尺寸必须保持最小的重叠/退开距离,这势必会限制像素开口率的增加与液晶效率的提高。与此同时,因为最小重叠/退开距离的存在,也会影响像素尺寸(pixelsize)/每英寸的像素数目(pixelsperinch,ppi)。

有鉴于此,如何设计一种AHVA面板的制造方法,或对现有的制程工艺予以改进,从而克服现有技术中的上述缺陷或不足,增大像素开口率,提升液晶效率,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的AHVA面板因制程能力制约必须保持最小的重叠/退开距离这一缺陷,本发明提供了一种AHVA面板的制造方法,以增加面板的像素开口率并提升液晶效率。

依据本发明的一个方面,提供了一种AHVA面板的制造方法,包括以下步骤:

形成一第一绝缘层;

涂布一平坦层于所述第一绝缘层的上方;

沉积一第一导电层于所述平坦层的上方,其中,所述第一导电层与所述平坦层对齐;

形成一第二绝缘层于所述第一导电层的上方;以及

形成一第二导电层于所述第二绝缘层的上方。

在其中的一实施例,于上述沉积所述第一导电层的步骤与形成所述第二绝缘层的步骤之间,该制造方法还包括:对所述平坦层进行曝光;以及利用显影液去除曝光区域所对应的所述平坦层的一部分以及所述第一导电层的一部分,以实现所述第一导电层与所述平坦层对齐。

在其中的一实施例,上述涂布所述平坦层的步骤还包括对所述平坦层进行曝光,其中,在上述沉积所述第一导电层的步骤与形成所述第二绝缘层的步骤之间,该制造方法还包括:利用显影液去除曝光区域所对应的所述平坦层的一部分以及所述第一导电层的一部分,以实现所述第一导电层与所述平坦层对齐。

在其中的一实施例,于上述沉积所述第一导电层的步骤与形成所述第二绝缘层的步骤之间,该制造方法还包括:涂布一光刻胶层于所述第一导电层的上方,并对所述光刻胶层和所述平坦层进行曝光;利用显影液去除曝光区域所对应的所述平坦层的一部分、所述第一导电层的一部分以及所述光刻胶层的一部分;以及湿蚀刻所述第一导电层从而剥离其上方的所述光刻胶层,以控制所述第一导电层的退开距离。

在其中的一实施例,所述平坦层为一有机平坦层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510473786.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top