[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510464605.0 申请日: 2015-07-31
公开(公告)号: CN104965370B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 齐智坚;陈帅;顾可可;杨妮;胡伟 申请(专利权)人: 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 鞠永善
地址: 400714 重庆市北碚区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

衬底基板,

所述衬底基板上形成有数据线;

形成有所述数据线的衬底基板上形成有第一电极;

形成有所述第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层;

形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极和屏蔽电极;

其中,所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影内,所述屏蔽电极为长条状结构,一端与所述第二电极连接,另一端与所述第二电极未连接,所述屏蔽电极上与所述第二电极连接的位置处形成有至少一个开口,且所述至少一个开口在所述数据线上的正投影在垂直所述数据线的延伸方向上覆盖所述数据线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

所述开口的宽度大于或者等于所述数据线的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,

所述屏蔽电极与所述第二电极呈一体结构。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线与所述第一电极位于同一层,

所述衬底基板上形成有第二绝缘层;

形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有所述数据线;

形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有所述第一电极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线与所述第一电极位于不同层,

所述衬底基板上形成有第二绝缘层;

形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有所述数据线;

形成有所述数据线的衬底基板上形成有第三绝缘层;

形成有所述第三绝缘层的衬底基板上形成有所述第一电极。

6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,

形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线连接,源极与所述第一电极或者所述第二电极连接。

7.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一电极为板状电极,所述第二电极为狭缝电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,

所述板状电极为像素电极,所述狭缝电极为公共电极;

或者,

所述板状电极为公共电极,所述狭缝电极为像素电极。

9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,

所述狭缝电极的狭缝在所述衬底基板上的正投影的长度方向与所述数据线在所述衬底基板上的正投影的长度方向存在夹角。

10.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,用于制造权利要求1至9任一所述的阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板,所述阵列基板的制造方法包括:

在所述衬底基板上形成数据线;

在形成有所述数据线的衬底基板上形成第一电极;

在形成有所述第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层;

在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极,使所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影内,所述屏蔽电极为长条状结构,一端与所述第二电极连接,另一端与所述第二电极未连接;

在所述屏蔽电极上与所述第二电极连接的位置处形成至少一个开口,使所述至少一个开口在所述数据线上的正投影在所述数据线的延伸方向上覆盖所述数据线。

11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,

所述开口的宽度大于或者等于所述数据线的宽度。

12.根据权利要求10或11所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,

所述屏蔽电极与所述第二电极呈一体结构。

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