[发明专利]显示设备和用于制造该显示设备的方法

说明书

显示设备和用于制造该显示设备的方法，该显示设备具有：薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管(TFT)包括：连接到栅极线的栅极、连接到数据线的漏极、以及连接到像素电极的源极；以及钝化层，仅在像素的开口和TFT的外围区域中。像素电极与TFT的源极直接接触，并且与TFT的栅极交叠。

本申请要求于2014年8月6日提交的韩国专利申请No.10-2014-0101325的益处，该专利申请通过参考被完全结合于此，用于如同在本文中完全阐述的所有目的。

技术领域

本发明的实施方式涉及包括氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)的显示设备和用于制造该显示设备的方法。

背景技术

电子显示设备包括在每个像素处的薄膜晶体管(TFT)，以接通施加到像素的数据电压或驱动像素。非晶硅TFT、多晶硅TFT、氧化物半导体TFT等是已知类型的TFT。

氧化物半导体TFT比非晶硅TFT具有更大的迁移率，并且能够在低温处理中被制造。另外，氧化物半导体TFT具有透明的优点，并且能够发射可见光。因此，氧化物半导体TFT适用于高分辨率显示设备或透明显示设备。

一个问题是TFT的氧化物半导体材料容易溶解在酸溶液中。因此，当堆叠在氧化物半导体材料上的金属被湿蚀刻时，氧化物半导体可能被蚀刻剂损坏或劣化。为了避免该问题，例如可以使用等离子体，干蚀刻堆叠在氧化物半导体上的金属。然而，在干蚀刻中使用的等离子体可能导致对氧化物半导体表面的损坏。

保护氧化物半导体的另一个另选方式是在氧化物半导体上形成蚀刻停止层，以防止TFT的氧化物半导体层的背面蚀刻。然而，在设备制造期间必须增加用于形成蚀刻停止层的光掩模处理。光掩模处理是用于顺序地执行一系列步骤以图案化薄膜的光刻技术处理，一系列步骤包括薄膜沉积处理、光刻胶施加处理、光掩模对准处理、曝光处理、显影处理、蚀刻处理、剥离处理等。光掩模处理的数量的减少使得制造成本降低并且设备产量提高。

而且，栅绝缘体可以由硅氧化物(SiOx)形成，以防止氧化物半导体TFT的特性改变。然而，与被广泛用作栅绝缘体材料的硅氮化物(SiNx)相比，执行硅氧化物(SiOx)的湿蚀刻处理和干蚀刻处理花费更多时间。因此，可以考虑经由干蚀刻处理同时蚀刻蚀刻停止层和栅绝缘体的方法，蚀刻停止层和栅绝缘体中的每个都由硅氧化物(SiOx)形成。然而，因为光刻胶图案由于长处理时间很可能劣化，所以很难执行该方法。因此，将用于图案化由硅氧化物(SiOx)形成的栅绝缘体的单独光掩模处理添加到设备制造中。

在显示器驱动电路中，可以经由金属层将公共电压Vcom提供给像素。在该情况下，金属必须被暴露，以便能够通过蚀刻覆盖金属的栅绝缘体与金属接触。当栅绝缘体由硅氧化物(SiOx)形成时，栅绝缘体经由单独光掩模处理被蚀刻。

覆盖氧化物半导体TFT的钝化层可以使用有机钝化材料。有机钝化层可以由光丙烯(photoacryl)形成。而且，通过蚀刻钝化层在氧化物半导体TFT外面的位置处的部分，像素电极可以连接到氧化物半导体TFT的源极。然而，该方法必须形成孔，以将像素电极暴露至在像素内的开口中的有机钝化层。因此，用于在开口中形成孔的附加处理容限是必须的。容限所需的附加空间导致像素的开口率降低。

发明内容

本发明的实施方式提供一种显示设备和用于制造该显示设备的方法，与现有技术相比，该方法能够减少制造处理的数量并且提高像素的开口率。

在一个方面中，存在一种显示设备，该显示设备包括：薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅极、连接到数据线的漏极、以及连接到像素电极的源极；以及钝化层，钝化层仅在像素的开口和TFT的外围区域中。

像素电极与TFT的源极直接接触，并且与TFT的栅极交叠。