[发明专利]体偏置的电路与方法有效
申请号: | 201510404151.8 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN105262467B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 金钟国 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H03K17/04 | 分类号: | H03K17/04;H03K17/687 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置 电路 方法 | ||
1.一种体偏置的电路装置,其特征在于,包括:
第一晶体管,具有源极、漏极、栅极以及体端,第一晶体管配置和布置为,响应于提供到栅极的控制信号,从源极或漏极中的第一个向源极或漏极中的另一个提供数据信号,第一晶体管由于体效应而发生数据信号的衰减;以及
体偏置电路,配置和布置为基于数据信号的电压而偏置第一晶体管的体端,以及减小第一晶体管对数据信号的衰减,其中所述体偏置电路包括:
具有源极、漏极和栅极的第二晶体管,其中源极和漏极连接在第一晶体管的体端与第一晶体管的源极或漏极中的第一个之间;
具有源极、漏极和栅极的第三晶体管,其中源极和漏极连接在第一晶体管的体端与第一晶体管的源极或漏极中的另一个之间;
该装置进一步包括:
第一开关,连接在第二晶体管与第一晶体管的源极或漏极中的第一个之间;
第二开关,连接在第三晶体管与第一晶体管的源极或漏极中的另一个之间;
其中第二晶体管的栅极连接在第二开关与第三晶体管之间,第三晶体管的栅极连接在第一开关与第二晶体管之间。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于:
第一晶体管为N型晶体管,由于体效应,其源极与漏极之间的导通电阻对于数据信号的不同电压发生变化;以及
体偏置电路配置和布置为将第一晶体管的体端向源极的源极电压和漏极的漏极电压之间较小者偏置,从而减小由第一晶体管所展现的导通电阻的变化。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于:
体偏置电路配置和布置为
响应于漏极电压小于源极电压而将第一晶体管的体端向漏极的漏极电压偏置;以及
响应于源极电压小于漏极电压而将第一晶体管的体端向源极电压偏置。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于:
第二晶体管配置和布置为响应于漏极电压小于源极电压而将第一晶体管的体端连接到第一晶体管的漏极;以及
第三晶体管配置和布置为响应于漏极电压大于源极电压而将第一晶体管的体端连接到第一晶体管的源极。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于:
第一晶体管为P型晶体管,由于体效应,其源极与漏极之间的导通电阻对于数据信号的不同电压发生变化;以及
体偏置电路配置和布置为将第一晶体管的体端向源极的源极电压和漏极的漏极电压之间较大者偏置,从而减小由于第一晶体管所展现的导通电阻的变化。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于:
体偏置电路配置和布置为
响应于漏极电压大于源极电压而将第一晶体管的体端向漏极电压偏置;以及
响应于源极电压大于漏极电压而将第一晶体管的体端向源极电压偏置。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于:
第二晶体管配置和布置为响应于漏极电压大于源极电压而将第一晶体管的体端连接到第一晶体管的漏极;以及
第三晶体管配置和布置为响应于漏极电压小于源极电压而将第一晶体管的体端连接到第一晶体管的源极。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于:体偏置电路配置和布置为偏置第一晶体管的体端,以跟随数据信号的电压。
9.一种体偏置的电路装置,其特征在于,包括:
第一晶体管,具有源极、漏极、栅极以及体端,由于体效应,所述第一晶体管的源极与漏极之间的导通电阻对于输入的数据信号的不同电压而发生变化;以及
体偏置电路,配置和布置为偏置第一晶体管的体端,以减小第一晶体管所展现的导通电阻的变化,从而降低输入的数据信号的衰减;
体偏置电路包括:
具有源极、漏极和栅极的第二晶体管,其中源极和漏极连接在第一晶体管的体端与第一晶体管的源极或漏极中的第一个之间;
具有源极、漏极和栅极的第三晶体管,其中源极和漏极连接在第一晶体管的体端与第一晶体管的源极或漏极中的另一个之间;
该装置进一步包括:
第一开关,连接在第二晶体管与第一晶体管的源极或漏极中的第一个之间;
第二开关,连接在第三晶体管与第一晶体管的源极或漏极中的另一个之间;
其中第二晶体管的栅极连接在第二开关与第三晶体管之间,第三晶体管的栅极连接在第一开关与第二晶体管之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦有限公司,未经恩智浦有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510404151.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。