[发明专利]反光焊带及太阳能组件有效
申请号: | 201510366155.1 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104979417B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 陆利斌;宋建源 | 申请(专利权)人: | 同享(苏州)电子材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/054 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反光 太阳能 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能光伏发电领域,尤其涉及反光焊带及太阳能组件。
背景技术
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”“,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。
现有的太阳能电池组件中包括反光焊带,现有的反光焊带的结构不够合理,对光线发散效果不理想。且一般反光焊带表面都需要设置镀锡层,但目前的镀锡层的成份有缺陷,使得镀锡工艺中废品率较高,镀锡层在铜基体表面的分布不均匀,不易与铜基体牢靠结合。进一步的是,现有的反光焊带不易储存,容易因环境影响而损坏和失效。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种有利于太阳能组件充分利用光源进行发电的反光焊带。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:反光焊带,包括铜基体,所述铜基体包括用于改变光路传播方向的多条凸起结构,相邻两条凸起结构之间为凹槽,所述凸起结构包括两个斜面且各个凸起结构的横截面为等腰三角形,各个凸起结构的底部相互连接,各个凸起结构的顶面为圆弧面,铜基体的外表面设置有镀锡层;
所述镀锡层按质量份数包括:Sn60%,Cu0.02%,Sb0.012%,Zn0.001%,Bi0.01%,As0.01%,Fe0.01%,Al0.001%,Cd0.001%,其余为Pb;
所述铜基体的导电率为0.0172Ωmm2/m,铜基体的厚度为0.22mm,铜基体的宽度为1.2mm,铜基体的抗拉强度为140N/mm2,铜基体的屈服强度为45Mpa,铜基体的延伸率为35%,铜基体的弯曲度为3.5mm/m。
进一步的是:所述铜基体是将铜杆通过压延机压延成型并经过退火处理得到,所述镀锡层是通过热镀锡工艺形成。
本发明还提供了太阳能组件,包括由上而下依次设置的玻璃板、EVA层、反光焊带和太阳能电池片,所述反光焊带包括铜基体,所述铜基体包括用于改变光路传播方向的多条凸起结构,相邻两条凸起结构之间为凹槽,所述凸起结构包括两个斜面且各个凸起结构的横截面为等腰三角形,各个凸起结构的底部相互连接,各个凸起结构的顶面为圆弧面,铜基体的外表面设置有镀锡层;
所述镀锡层按质量份数包括:Sn60%,Cu0.02%,Sb0.012%,Zn0.001%,Bi0.01%,As0.01%,Fe0.01%,Al0.001%,Cd0.001%,其余为Pb;
所述铜基体的导电率为0.0172Ωmm2/m,铜基体的厚度为0.22mm,铜基体的宽度为1.2mm,铜基体的抗拉强度为140N/mm2,铜基体的屈服强度为45Mpa,铜基体的延伸率为35%,铜基体的弯曲度为3.5mm/m。
进一步的是:所述玻璃板上设置有多个反光槽。
进一步的是:所述铜基体是将铜杆通过压延机压延成型并经过退火处理得到,所述镀锡层是通过热镀锡工艺形成。
本发明的有益效果是:
1、反光焊带本身对光线散射效果好,有利于太阳能组件充分利用光源进行发电;
2、镀锡层的成份经过合理调整,使得铜基体与镀锡层的结合更加稳固和容易,有效降低了废品率;
3、通过镀锡层成份的调整以及对铜基体相关参数的优选,使得反光焊带的储存期得到有效延长,可延长至6个月以上。使得反光焊带不易受到环境因素的影响。
4、通过在玻璃板上设置反光槽,可以更加充分有效的利用光源进行发电。
附图说明
图1为本发明的反光焊带的结构示意图;
图2为本发明的太阳能组件的示意图;
图中标记为:铜基体1,镀锡层2,凸起结构3,玻璃板4,EVA层5,凹槽6,太阳能电池片7。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
如图1所示,本发明的反光焊带包括铜基体1,所述铜基体1包括用于改变光路传播方向的多条凸起结构3,凸起结构3的数量可以为2个,3个,5个,10个等等。各个凸起结构可以对光线进行散射、反射等,有利于对光线进行充分利用。相邻两条凸起结构3之间为凹槽6,所述凸起结构包括两个斜面且各个凸起结构3的横截面为等腰三角形,各个凸起结构的底部相互连接,各个凸起结构的顶面为圆弧面,铜基体的外表面设置有镀锡层2;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的