[发明专利]一种有效改善铸造多晶硅锭质量的方法

权利要求书

1.一种有效改善铸造多晶硅锭质量的方法，其特征是：多晶硅铸锭过程中，测定不同生长阶段多晶硅晶体生长的高度，表征出晶体硅不同高度时的缺陷群面积大小及形态；根据晶体不同生长时间段缺陷群的变化规律，找出晶体快速增殖阶段，有针对性地调节该阶段的铸锭工艺，从而降低缺陷群增殖速度。

2.根据权利要求1所述的有效改善铸造多晶硅锭质量的方法，其特征是：将多晶硅锭破锭、切片，根据测量的高度数据和切割参数，确定每个多晶硅片所处的高度位置，进而确定其生长的时间段。

3. 根据权利要求1或2所述的有效改善铸造多晶硅锭质量的方法，其特征是：测定晶体生长时间段硅片的缺陷群，画出随着晶体生长，即不同的生长时间阶段，缺陷群变化图，其中生长时间段为横坐标，缺陷群数据为纵坐标。

4.根据权利要求1或2所述的有效改善铸造多晶硅锭质量的方法，其特征是：根据晶体的不同生长时间阶段，通过调整铸锭加热功率、散热速率、生长气氛压力、生长界面方式，找到适合晶体硅生长的温度梯度，调整晶体硅的长晶速率，从而抑制缺陷群的快速增殖。

5. 根据权利要求1或2所述的有效改善铸造多晶硅锭质量的方法，其特征是：在多晶硅锭生长时，用石英棒测量各个生长阶段的晶体高度，并记录下各个生长时间段的时间和晶体高度；将多晶硅锭破锭、切片；取片时，严格按照从头到尾顺序进行，确保通过切割参数能够计算出每个硅片的高度位置；用PL表征硅片的缺陷群；将晶体高度、生长时间段与缺陷群进行对应，绘画出缺陷群随晶体生长时间的变化图，从图中确定出缺陷群快速增值的晶体生长时间段，调整晶体硅快速增殖生长时间阶段的加热功率、隔热笼位置、气氛压力参数，实现晶体的慢速长晶和平直的生长界面，从而抑制该阶段的缺陷群快速增殖。