[发明专利]感应铟锡氧化物层和使用感应铟锡氧化物层的触控屏及其制作方法

权利要求书

1.一种感应铟锡氧化物层，其特征在于：它包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元(6.1)，所述每个感应铟锡氧化物子单元(6.1)均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区(6.2)和触控感应区(6.3)，所述空间电容平衡区(6.2)由呈正方形网格布置的铟锡氧化物导线(6.4)构成。

2.根据权利要求1所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述触控感应区(6.3)的两侧均设有沿触控感应区(6.3)长度方向布置的锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)，触控感应区(6.3)两侧的锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)相互对应，所述触控感应区(6.3)两侧的锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)之间的区域沿触控感应区(6.3)长度方向设有多个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)，所述触控感应区(6.3)两侧的锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)与多个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)之间的区域填充铟锡氧化物，所述触控感应区(6.3)两侧的锯齿形铟锡氧化物导线网格的前端与前端之间通过感应铟锡氧化物导线连接；所述触控感应区(6.3)两侧的锯齿形铟锡氧化物导线网格的后端与后端之间通过感应铟锡氧化物导线连接。

3.根据权利要求2所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述多个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)沿触控感应区(6.3)长度方向对齐设置，所述相邻两个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)之间的间距相等。

4.根据权利要求3所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述每个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)的外轮廓为铟锡氧化物导线，每个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)外轮廓内部填充铟锡氧化物导线网格(6.7)。

5.根据权利要求4所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述每个空间电容增强及阻抗减小区(6.6)的外轮廓均包括第一等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓、第二等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓、第三等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓和第四等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓，其中第一等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边和第二等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边连接，第二等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边与第三等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边连接，第三等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边与第四等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边连接；

所述第一等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边、第二等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边、第三等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边和第四等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的短底边长度均相等；

所述第一等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边、第二等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边、第三等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边和第四等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边长度均相等。

6.根据权利要求5所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)中每个齿形顶点与触控感应区(6.3)对应的侧边之间设有垂直的铟锡氧化物导线。

7.根据权利要求6所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述感应铟锡氧化物子单元(6.1)的宽度范围为3～6mm，所述触控感应区(6.3)的宽度与空间电容平衡区(6.2)的宽度相等，且宽度范围均为1.5～3mm。

8.根据权利要求7所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)的锯齿高度等于第一等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的长底边长度的三分之一，所述锯齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)的锯齿高度等于感应铟锡氧化物子单元(6.1)宽度的十分之一，齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)的锯齿高度等于空间电容平衡区(6.2)中正方形网格的边长，所述第一等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓和第四等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的高相等，均等于齿形铟锡氧化物导线网格(6.5)的锯齿高度。

9.根据权利要求7所述的感应铟锡氧化物层，其特征在于：所述第二等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓和第三等腰梯形铟锡氧化物导线外轮廓的高相等，均等于感应铟锡氧化物子单元(6.1)宽度的五分之一。