[发明专利]剥离发光组件衬底的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种剥离发光组件衬底的方法和装置。

背景技术

目前，氮化镓基LED发光组件由于具有电流分布均匀、产生的热量小、压降低以及发光效率高等诸多优点，成为当前人们研究的热点之一。

现有的一种垂直结构的氮化镓基LED发光组件，包括金属衬底、依次设置于金属衬底上的金属反射层、P面电极、P型氮化镓层、有源层、N型氮化镓层以及N面电极。这种LED发光器件的制作工艺是先在蓝宝石衬底上依次形成缓冲层、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层、金属反射层和P面电极，然后将其倒置与金属衬底键合，再将蓝宝石衬底剥离，之后在剥离蓝宝石衬底后的N型氮化镓表面制作电极图形，形成N面电极。

但是，由于传统的激光剥离蓝宝石衬底的方法具有对局部产生的氮化物控制不当的问题，因此，会使得激光剥离的良率很低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种剥离发光组件衬底的方法和装置，以解决现有技术中激光剥离良率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种剥离发光组件衬底的方法，包括：

提供待剥离的发光组件，所述发光组件包括第一衬底、位于所述第一衬底一侧的氮化镓外延层和金属衬底，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；

采用激光发生器对所述第一衬底进行激光剥离，其中，所述激发发生器出射激光的路径上具有孔径光阑，以通过所述孔径光阑来调整所述激光的光斑大小。

优选的，所述第一衬底为蓝宝石衬底。

优选的，在提供待剥离的发光组件之前，还包括：

在所述第一衬底的一侧生长氮化镓外延层，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；

通过化学键合或物理键合的方式，将所述氮化镓外延层与所述金属衬底连接在一起。

优选的，所述调整后的光斑的面积范围为10μm*10μm～100μm*100μm。

优选的，所述激光发生器的剥离激光的能量范围为0.07W～0.7W。

优选的，在采用激光发生器对所述衬底进行激光剥离之前，还包括：

调整所述激光发生器的聚焦镜的焦距，以使所述光斑各个区域的能量均匀。

优选的，在采用激光发生器对所述衬底进行激光剥离之前，还包括：

调节所述激光发生器的工作台的步进步距，以使所述光斑与附近接连位置的光斑交叠。

优选的，在采用激光发生器对所述衬底进行激光剥离之前，还包括：

调整所述激光发生器的工作台运动的方式，以使所述工作台沿同一方向运动。

优选的，在对所述衬底进行剥离之后，还包括：

对剥离所述第一衬底后的发光组件进行清洗。

一种剥离发光组件衬底的装置，包括激光发生器和设置在所述激发发生器出射激光的路径上的孔径光阑。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的剥离发光组件衬底的方法和装置，采用激光发生器对发光器件的第一衬底如蓝宝石衬底进行剥离，在剥离的过程中，激光发生器出射激光的路径上具有孔径光阑，从而可以通过调节孔径光阑的大小和位置来调整所述激光光斑的大小，进而可以采用尽可能小的光斑进行激光剥离，使得局部产生的氮化物较少，以提高衬底剥离的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明的一个实施例提供的一种剥离发光组件衬底的方法；

图2为本发明的一个实施例提供的一种发光组件的结构示意图；

图3为本发明的一个实施例提供的一种激光发生器光斑的调节原理图；

图4为本发明的一个实施例提供的光斑与光斑的交叠示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的一个实施例提供了一种剥离发光组件衬底的方法，该方法的流程图如图1所示，包括：