[发明专利]一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法在审
申请号: | 201510349627.2 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105047598A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 王成 | 申请(专利权)人: | 上海东煦电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H05K3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200052 上海市闸*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 pcb 切割 工艺 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体及LED封装领域,尤其涉及一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法。
背景技术
LED(发光二极管)封装是指发光芯片的封装,相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。
目前,在制造半导体及LED封装的工序中,需要先将芯片安装在PCB基板上,然后再进行切割,最后再独立分开。但是由于不同材质和厚薄的PCB基板在经过塑封、烘烤等常规工序后,往往会出现很大的曲翘,从而导致后续的PCB基板的切割困难增加,进而降低了产品的良率,同时还提高了生产成本。
此外,如采用高粘性蓝膜,虽然可以保证切割正常;但是在后续的芯片剥离比较困难,下料后容易产生残胶等异常,所以需要对产品进行清洗去胶,烘干等;这样会消耗大量的人力和物力,企业生产成本也大大曾加。
发明内容
为了解决上述的曲翘问题,本发明提供一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法,可以有效的避免了飞料异常和PCB基板曲翘等问题,从而提高了产品良率。
上述的一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法,包括以下步骤:
S1:提供尺寸相同的PCB基板和UV胶带,并将PCB基板贴于UV胶带的上表面;
S2:提供切割环框架和高粘性蓝膜,并将切割环框架贴于高粘性蓝膜的上表面;
S3:将UV胶带的下表面与高粘性蓝膜的上表面相贴合,并形成待切割部件;
S4:对待切割部件中的PCB基板进行切割操作;
S5:利用波长为365nm的紫外光对UV胶带进行照射,当达到UV胶带的解胶能量后,再将PCB基板自UV胶带上剥离下料。
上述方法中,所述步骤S1中提供的PCB基板的厚度为0.2mm~3mm。
上述方法中,所述步骤S2中的切割环框架位于高粘性蓝膜上表面的边缘。
上述方法中,所述步骤S3中的UV胶带位于高粘性蓝膜的上表面的中间区域。
上述方法中,所述步骤S5中UV胶带的解胶能量为300mj/cm2。
本发明的优点和有益效果在于:本发明提供了一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法,通过将PCB基板完整的粘于UV胶带上,从而有效的避免了飞料异常和PCB基板曲翘等问题,然后再利用紫外光照射,便可轻易的完成最后的剥离下料处理,同时节省了UV胶带的用量,并最终达到了提高产品良率,节省了和降低生产成本等目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明中贴膜方法的流程示意图;
图2是本发明中待切割部件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1和图2所示,本发明记载了一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法,共包括5个步骤,具体如下:
S1:提供尺寸相同的PCB基板1和UV胶带2,并将PCB基板1贴于UV胶带2的上表面;优选的,该PCB基板1的厚度为0.2mm~3mm。
S2:提供切割环框架4和高粘性蓝膜3,并将切割环框架4贴于高粘性蓝膜3的上表面;优选的,该切割环框架4位于高粘性蓝膜3上表面的边缘。
S3:将UV胶带2的下表面与高粘性蓝膜3的上表面相贴合,并形成待切割部件,该待切割部件的结构如图2所示;优选的,UV胶带2位于高粘性蓝膜3的上表面的中间区域。
S4:对待切割部件中的PCB基板1进行切割操作;由于此时的PCB基板1完全粘合于UV胶带2上,从而可以有效的避免飞料异常等情况的发生,同时还可以避免PCB基板1曲翘等问题,进而保证了产品良率,即有利于控制成产成本。
S5:利用波长为365nm的紫外光对UV胶带2进行照射,当达到UV胶带2的解胶能量后,再将PCB基板1自UV胶带2上剥离下料;优选的,本发明所采用的UV胶带2的解胶能量为300mj/cm2。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造