[发明专利]一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法在审
| 申请号： | 201510349627.2 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105047598A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王成 | 申请（专利权）人： | 上海东煦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H05K3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200052 上海市闸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 pcb 切割 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供尺寸相同的PCB基板和UV胶带，并将PCB基板贴于UV胶带的上表面；
S2：提供切割环框架和高粘性蓝膜，并将切割环框架贴于高粘性蓝膜的上表面；
S3：将UV胶带的下表面与高粘性蓝膜的上表面相贴合，并形成待切割部件；
S4：对待切割部件中的PCB基板进行切割操作；
S5：利用波长为365nm的紫外光对UV胶带进行照射，当达到UV胶带的解胶能量后，再将PCB基板自UV胶带上剥离下料。
2.如权利要求1所述的一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法，其特征在于，所述步骤S1中提供的PCB基板的厚度为0.2mm～3mm。
3.如权利要求1所述的一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法，其特征在于，所述步骤S2中的切割环框架位于高粘性蓝膜上表面的边缘。
4.如权利要求1所述的一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法，其特征在于，所述步骤S3中的UV胶带位于高粘性蓝膜的上表面的中间区域。
5.如权利要求1所述的一种用于PCB基板切割工艺的贴膜方法，其特征在于，所述步骤S5中UV胶带的解胶能量为300mj/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
