[发明专利]数据储存器件及其操作方法

说明书

本发明提供一种包括非易失性存储设备的数据储存器件，非易失性存储设备包括存储块，存储块包括多个页；以及处理器，其适合将写入数据写入存储块的目标页中，并在存储块的至少一个备份页中备份写入数据的特别管理数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2014年12月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2014-0183308的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

各种具体实施例总体而言涉及一种数据储存器件，尤其涉及一种用于防止数据因突然断电而遗失的数据储存器件的操作方法。

背景技术

半导体存储器件可以用于储存数据。半导体存储器件可以划分成非易失性和易失性存储器件。

非易失性存储器件即使电源切断仍会维持储存于其中的数据。非易失性存储器件包括闪存器件，如与非快闪(NAND flash)或或非快闪(NOR flash)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM)、相变随机存取存储器(Phase-ChangeRandom Access Memory，PCRAM)、磁阻随机存取存储器(Magnetoresistive Random AccessMemory，MRAM)、或电阻式随机存取存储器(Resistive Random Access Memory，ReRAM)。

易失性存储器件无法在电源切断时维持储存于其中的数据。易失性存储器件包括静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)。易失性存储器件基于其相对较高的处理速度，一般用作数据处理系统中的缓冲存储器件、高速缓存器件、或工作存储器件。

发明内容

在具体实施例中，一种数据储存器件可以包括：非易失性存储设备，包括存储块，所述存储块包括多个页；以及处理器，其适合将写入数据写入存储块的目标页中，并在存储块的至少一个备份页中备份写入数据的特别管理数据。

在具体实施例中，一种数据储存器件的操作方法可以包括：以响应于被设定以最小化多个页之间引起的干扰效应的写入次序而将写入数据写入从多个页中选定的目标页中；以及在多个页之中的至少一个备份页中备份写入数据的特别管理数据，其中备份页为多个页之中的响应于写入次序而随后对目标页所选定的页。

在具体实施例中，一种包括顺序设置的第一字线至第三字线的数据储存器件的操作方法，可以包括：响应于写入请求而将第一数据写入第二字线的最低有效位页中；以及在第一字线的最高有效位页或第三字线的最低有效位页中备份第一数据。

附图说明

图1为例示根据本发明具体实施例的数据储存器件的框图。

图2为例示图1所示非易失性存储设备的框图。

图3为例示图2所示第一存储块的电路图。

图4A和图4B为例示存储单元因写入操作的阈值电压分布变化的图示。

图5为例示因干扰效应的阈值电压分布迁移的图示。

图6A和图6B为例示用于LSB页和MSB页的写入次序的图示。

图7为说明图1所示数据储存器件的操作方法的流程图。

图8A和图8B为例示供图1所示处理器备份特别管理数据的方法的图示。

图9A和图9B为例示供图1所示处理器备份特别管理数据的另一方法的图示。

图10A至图10C为例示供图1所示处理器备份特别管理数据的另一方法的图示。