[发明专利]蓝宝石LED灯丝的制备方法在审
申请号: | 201510339646.7 | 申请日: | 2015-06-18 |
公开(公告)号: | CN105185877A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 苏凤坚;刘俊;郝正平 | 申请(专利权)人: | 江苏苏创光学器材有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;B24B37/08;B24B37/04;B24B9/06 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 225775 江苏省泰州市兴化市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝宝石 led 灯丝 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种蓝宝石片的制备方法,尤其涉及一种蓝宝石LED灯丝的制备方法,属于蓝宝石加工技术领域。
背景技术
LED灯丝以其节能、全角度发光等优点而被广泛应用。目前,LED灯丝基板的材质一般为玻璃、硅树脂或碳化硅,但玻璃硬度差,导热性差;硅树脂导热性差;而碳化硅则制作成本大。
随着科技的进步,蓝宝石基板在LED技术中得到广泛应用。蓝宝石具有很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,可以在高温下保持高强度、优良的热属性和透过率,并且防化学腐蚀。用蓝宝石为原料制成的LED灯丝,亮度高,硬度高且导热性好,深受消费者满意。
中国专利文献ZL201420699840.7公开了一种全周发光的LED灯丝,包括混有荧光粉的基板,设置于所述基板上的电极,安装在所述基板上的至少一个LED芯片,以及覆盖于所述LED芯片上的封装胶。通过含有荧光粉的硅树脂形成的基板,免除了玻璃或蓝宝石作为基板的成本。混有荧光粉的硅树脂形成的基板代替了玻璃以及蓝宝石基板,使用所述基板制作的灯丝避免了玻璃或蓝宝石对芯片出光的影响,实现了360度出光,出光均匀性和光效大大提高。但该方法工序设计不够合理,会直接影响LED灯丝的质量和成品率。
发明内容
本发明解决的技术问题是:提出一种成片质量高,废品率低,生产效率高的蓝宝石LED灯丝的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明提出的技术方案是:一种蓝宝石LED灯丝的制备方法,包括以下具体步骤:
步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2100~2200℃,使得Al2O3熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触,持续0.5~1h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以3~5mm/h的速度向上提拉籽晶,以45~48r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以8~10mm/h的速度向上提拉籽晶,以50~55r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以5~8mm/h的速度向上提拉籽晶,以48~50r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1580~1680℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以80~100℃/h的速度缓慢降温并持续18~22h,从而得到晶体;
步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到晶棒;
步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;
步骤四、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.02~0.022Mpa,研磨盘的转速为1000~1200rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为10~20μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,其余为去离子水;
步骤五、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理,;
步骤六、退火;将晶片放入退火炉内,以180~220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2~6h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温2~3h冷却至室温取出;
步骤七、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.12~0.15Mpa,抛光盘的转速为1000~1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为1~6μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,0.5~2%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为11.0~13.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;
步骤八、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小;
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