[发明专利]一种有机半导体纳米材料及其制备方法与用途和一种二氧化氮气敏传感器

权利要求书

1.一种有机半导体纳米材料，其特征在于，其由 下列步骤制备而成：

（1）将式I所述化合物加入到良溶剂中溶解，制得0.002～0.01 mmol/mL的溶液；

式I

（2）向步骤（1）所得溶液中加入良溶剂体积量1/10～1/3的不良溶剂，密封，静置3～4天，得到5-对二茂铁酰胺基苯基-10,15,20-三苯基卟啉纳米带；

所述良溶剂为三氯甲烷或二氯甲烷，所述不良溶剂为正己烷。

2.根据权利要求1所述的有机半导体纳米材料，其特征在于，所述步骤（1）中制得的溶液的摩尔浓度为 0.002～0.005 mmol/mL。

3.一种有机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将式I所述化合物加入到良溶剂中溶解，制得0.002～0.01 mmol/mL的溶液；

式I

（2）向步骤（1）所得溶液中加入相当于良溶剂体积量1/10～1/3的不良溶剂，密封，静置3～4天，得到5-对二茂铁酰胺基苯基-10,15,20-三苯基卟啉纳米带；

其中，所述良溶剂为三氯甲烷或二氯甲烷，所述不良溶剂为正己烷。

4.一种权利要求1或2所述有机半导体纳米材料的用途，所述有机半导体纳米材料用于制备二氧化氮气敏传感器的应用。

5.一种用权利要求1或2所述有机半导体纳米材料制成的二氧化氮气敏传感器，包含ITO导电玻璃基底与刻蚀在ITO导电玻璃基底上的叉指电极，其特征在于，在所述叉指电极上滴涂有所述权利要求1或2所述的有机半导体纳米材料的纳米材料涂层。

6.根据权利要求5所述的二氧化氮气敏传感器，其特征在于，所述纳米材料涂层的厚度为0.1-1微米。