[发明专利]用于闪存器件的高压开关电路

说明书

用于闪存器件的高压开关电路。一种用于闪存的高压开关器件包括至少一个泵浦晶体管，至少一个泵浦晶体管包括共同连接到控制信号的一个接合端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的栅极端子。高压开关器件还包括至少一个开关晶体管，至少一个开关晶体管包括连接到输入信号的一个接合端子、连接到输出信号的另一个接合端子、以及连接到选择信号的栅极端子。高压开关器件的布局包括：泵浦有源区，在该泵浦有源区中设置泵浦晶体管的一个接合端子和另一个接合端子；控制互连区，在该控制互连区中对控制信号的互连进行布线；以及选择互连区，在该选择互连区中对选择信号的互连进行布线。

相关申请的交叉参考

本申请要求分别于2014年6月16日和2014年6月24日提交的韩国专利申请No.10-2014-0072534和No.10-2014-0077183的优先权和权益，以上申请的公开通过引用全部结合于此。

技术领域

本发明涉及一种闪存器件，并且更具体地，涉及一种用于闪存器件的高压开关电路以及一种用于高压开关电路的泵浦(pumping)电路。

背景技术

闪存器件是用于执行程序操作和擦除操作的非易失性存储器件。在程序操作和擦除操作中，在闪存器件中使用高电平电压。通常，为此装配开关器件，以在闪存器件中发送高电平电压。

传统开关器件通常包括开关金属氧化物半导体(MOS)晶体管和泵浦MOS晶体管。开关MOS晶体管由选择信号进行门控并且被配置成发送高电平电压。此外，泵浦MOS晶体管作为泵浦电容器操作，并且被配置成通过泵浦操作增加选择信号的电压电平。

因此，期望开关器件能够增加泵浦电容器的电容，以增加选择信号的电压电平。此外，由于开关器件的布局面积倾向于随着电容增加而增加，所以需要一种用于闪存的开关器件，其能够在增加电容的同时，最小化开关器件的布局面积的增加，或者甚至不增加或少量增加布局面积。

发明内容

本发明致力于一种用于闪存的高压开关器件，该高压开关器件能够有效地发送高电平电压，同时最小化高电压开关器件的布局面积。

根据本发明的一方面，提供一种闪存器件的高压开关单元，该高压开关单元包括：泵浦电路，泵浦电路包括至少一个泵浦晶体管，至少一个泵浦晶体管具有共同连接到周期性转换的控制信号的节点的一个接合(junction)端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子；开关电路，该开关电路包括至少一个开关晶体管，至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子；泵浦有源区，在该泵浦有源区中设置至少一个泵浦晶体管的一个接合端子和另一个接合端子，并且形成至少一个泵浦晶体管的沟道；控制互连(interconnection)区，在该控制互连区中对控制信号的互连进行布线；以及选择互连区，在该选择互连区中对选择信号的互连进行布线。控制互连区和选择互连区在至少一个区域中平行延伸，该至少一个区域的长度在沟道的方向上大于泵浦有源区的长度，并且在控制互连区和选择互连区之间形成电容，以增大选择信号的电压电平。

控制互连区能够在至少一个区域中在选择互连区的两侧平行延伸，至少一个区域的长度在沟道的方向上大于泵浦有源区的长度。

高压开关单元还可以包括：开关栅极区，在该开关栅极区中对至少一个开关晶体管的栅极端子进行布线，其中，选择互连区在开关栅极区之上延伸，并且控制互连区在开关栅极区中在选择互连区的两侧平行延伸。高压开关单元还可以包括：开关栅极区，在该开关栅极区中对至少一个开关晶体管的栅极端子进行布线，其中，选择互连区和控制互连区在开关栅极区中平行延伸。