[发明专利]用于闪存器件的高压开关电路有效
| 申请号: | 201510333987.3 | 申请日: | 2015-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN105280226B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
| 发明(设计)人: | 李海旭;苏万锡 | 申请(专利权)人: | 菲德里克斯有限责任公司;尼莫斯科技有限责任公司 |
| 主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 闪存 器件 高压 开关电路 | ||
1.一种闪存器件的高压开关单元,所述高压开关单元包括:
泵浦电路,所述泵浦电路包括至少一个泵浦晶体管,所述至少一个泵浦晶体管具有一个接合端子和另一个接合端子以及连接到选择信号的节点的栅极端子,所述一个接合端子和所述另一个接合端子共同连接到周期性转换的控制信号的节点;
开关电路,所述开关电路包括至少一个开关晶体管,所述至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到所述选择信号的所述节点的栅极端子;
泵浦有源区,在所述泵浦有源区中设置所述至少一个泵浦晶体管的所述一个接合端子和所述另一个接合端子,并且形成所述至少一个泵浦晶体管的沟道;
控制互连区,在所述控制互连区中对所述控制信号的互连进行布线;以及
选择互连区,在所述选择互连区中对所述选择信号的互连进行布线,
其中,所述控制互连区和所述选择互连区在至少一个区域中平行延伸,所述至少一个区域的长度在所述沟道的方向上大于所述泵浦有源区的长度,并且在所述控制互连区和所述选择互连区之间形成电容,以增大所述选择信号的电压电平。
2.根据权利要求1所述的高压开关单元,其中,所述控制互连区在至少一个区域中在所述选择互连区的两侧平行延伸,所述至少一个区域的长度在所述沟道的方向上大于所述泵浦有源区的长度。
3.根据权利要求1所述的高压开关单元,所述高压开关单元还包括:开关栅极区,在所述开关栅极区中对所述至少一个开关晶体管的所述栅极端子进行布线,
其中,所述选择互连区在所述开关栅极区之上延伸,并且所述控制互连区在所述开关栅极区中在所述选择互连区的两侧平行延伸。
4.根据权利要求1所述的高压开关单元,所述高压开关单元还包括:开关栅极区,在所述开关栅极区中对所述至少一个开关晶体管的所述栅极端子进行布线,
其中,所述选择互连区和所述控制互连区在所述开关栅极区中平行延伸。
5.根据权利要求1所述的高压开关单元,其中,所述控制信号是重复周期性转换的脉冲信号,并且所述选择信号的电压电平响应于所述周期性转换而增大。
6.根据权利要求1所述的高压开关单元,其中,所述泵浦电路包括形成所述至少一个泵浦晶体管的所述栅极端子的栅多晶硅层,并且所述栅多晶硅层设置在所述控制互连区和所述至少一个泵浦晶体管的所述沟道之间,以在所述控制互连区和所述栅多晶硅层之间形成电容,并且在所述至少一个泵浦晶体管的所述沟道和所述栅多晶硅层之间形成另一电容。
7.根据权利要求1所述的高压开关单元,其中,所述控制互连区覆盖所述至少一个泵浦晶体管的所述沟道的整个区域。
8.根据权利要求1所述的高压开关单元,其中,所述至少一个泵浦晶体管被设置为与在所述控制互连区和所述选择互连区之间形成的所述电容并联。
9.一种闪存器件的高压开关单元,所述高压开关单元包括:
泵浦电路,所述泵浦电路包括至少一个泵浦晶体管,所述至少一个泵浦晶体管具有一个接合端子和另一个接合端子以及连接到选择信号的节点的栅极端子,所述一个接合端子和所述另一个接合端子共同连接到周期性转换的控制信号的节点;
开关电路,所述开关电路包括至少一个开关晶体管,所述至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到所述选择信号的所述节点的栅极端子;
泵浦有源区,在所述泵浦有源区中设置所述至少一个泵浦晶体管的所述一个接合端子和所述另一个接合端子,并且形成所述至少一个泵浦晶体管的沟道;
控制互连区,在所述控制互连区中对所述控制信号的互连进行布线;以及
选择互连区,在所述选择互连区中对所述选择信号的互连进行布线,
其中,所述控制互连区覆盖所述至少一个泵浦晶体管的所述沟道的至少一部分,并且在所述控制互连区和所述沟道的所述至少一部分之间形成电容,以增大所述选择信号的电压电平。
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