[发明专利]OLED器件的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种OLED器件的封装结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的OLED器件(2)、形成于所述OLED器件(2)上的第一阻挡层(3)、形成于所述第一阻挡层(3)上的干燥剂层(4)、形成于所述干燥剂层(4)上的缓冲层(5)，及形成于所述缓冲层(5)上的第二阻挡层(6)。

2.如权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述第一阻挡层(3)和第二阻挡层(6)为SiNx或者Al₂O₃无机薄膜；所述缓冲层(5)为有机薄膜。

3.如权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述第一阻挡层(3)完全覆盖所述OLED器件(2)；所述干燥剂层(4)在竖直方向上完全遮盖所述OLED器件(2)。

4.如权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述缓冲层(5)在竖直方向上完全遮盖所述OLED器件(2)；所述第二阻挡层(6)完全覆盖所述第一阻挡层(3)、干燥剂层(4)、及缓冲层(5)。

5.如权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述基板(1)为柔性基板。

6.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上通过蒸镀形成OLED器件(2)；

步骤2、在所述OLED器件(2)上制作第一阻挡层(3)；

步骤3、在所述第一阻挡层(3)上制作一层干燥剂层(4)；

步骤4、在所述干燥剂层(4)上制作一层缓冲层(5)；

步骤5、在所述缓冲层(5)上制作第二阻挡层(6)。

7.如权利要求6所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述步骤2中制作的第一阻挡层(3)和所述步骤5中制作的第二阻挡层(6)为SiNx或者Al₂O₃无机薄膜；所述步骤2中制作的第一阻挡层(3)和步骤5中制作的第二阻挡层(6)通过低温等离子增强化学气相沉积法或者原子层沉积技术制得；所述步骤4中制作的缓冲层(5)为有机薄膜。

8.如权利要求6所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述步骤3具体为，将干燥剂通过印刷方式涂布于所述第一阻挡层(3)上，并固化，得到干燥剂层(4)。

9.如权利要求6所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述第一阻挡层(3)完全覆盖所述OLED器件(2)；所述干燥剂层(4)和所述缓冲层(5)在竖直方向上完全遮盖所述OLED器件(2)；所述第二阻挡层(6)完全覆盖所述第一阻挡层(3)、干燥剂层(4)、及缓冲层(5)。

10.如权利要求6所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述步骤1中所提供的基板(1)为柔性基板。