[发明专利]多发光单元半导体激光器近场非线性自动测试方法及装置有效

专利信息
申请号: 201510313232.7 申请日: 2015-06-09
公开(公告)号: CN104897372B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 刘兴胜;王昊;刘晖;孙翔;沈泽南;吴迪 申请(专利权)人: 西安炬光科技股份有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710077 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 半导体激光器 发光单元 近场 光斑 参考光 腔面 自动化 自动化测试 人工操作 自动测试 自动识别 反馈
【权利要求书】:

1.多发光单元半导体激光器近场非线性自动化测试方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一:待测多发光单元半导体激光器发出的光束入射至快轴准直镜,出射光经分光装置分光,分成光束B和参考光束A,参考光束A在空气中自由传播并入射至图像传感器M,光束B入射至成像系统后再入射至图像传感器N;

步骤二:建立三维直角坐标系,以快轴准直镜光心为原点O,沿光束传输方向为Z轴正方向,半导体激光器快轴方向为Y轴,半导体激光器慢轴方向为X轴,沿Z轴平移调节快轴准直镜或者沿Y轴平移调节快轴准直镜或者以Z轴为旋转轴旋转调节快轴准直镜或者以Y轴为旋转轴旋转调节快轴准直镜或者以X轴为旋转轴旋转调节快轴准直镜,直至参考光束A在图像传感器M上的光斑长度、宽度、倾斜度最小,此时参考光束A在图像传感器N上的图样,记录为S1,此时光束B经过成像系统后入射至图像传感器N上的图样,记录为S2;

步骤三:沿X轴方向平移调节快轴准直镜,采集光束B经过成像系统后入射至图像传感器N上的图样,记录为S3;

步骤四:对比S2和S3,重复步骤二和步骤三直到S2和S3相同,记录S3为多发光单元半导体激光器近场非线性图样。

2.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器近场非线性自动化测试方法,其特征在于:所述的步骤一中,图像传感器M为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器;图像传感器N为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器。

3.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器近场非线性自动化测试方法,其特征在于:所述的步骤一中的分光装置为分光镜。

4.多发光单元半导体激光器近场非线性自动化测试装置,其特征在于:包括多发光单元半导体激光器,快轴准直镜,分光镜,成像系统,图像传感器M,图像传感器N,工控机,自动调节架;所述的快轴准直镜固定在自动调节架上并设置在多发光单元半导体激光器的出光方向;所述的分光镜设置在快轴准直镜的后端,将多发光单元半导体激光器经快轴准直镜准直后的光束进行分光,形成光束B和参考光束A;所述的图像传感器M与工控机进行连接并设置在参考光束A出射方向用于采集参考光束A的图样;所述的成像系统设置在光束B的出射方向用于对光束B 进行成像,图像传感器N与工控机进行连接并设置在成像系统后端用于采集光束B的图样;所述的工控机用于控制图像传感器M,图像传感器N并控制自动调节架。

5.根据权利要求4所述的多发光单元半导体激光器近场非线性自动化测试装置,其特征在于:所述的图像传感器M为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器;所述的图像传感器N为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器。

6.根据权利要求4所述的多发光单元半导体激光器近场非线性自动化测试装置,其特征在于:还包括反射镜 ,所述的反射镜设置在参考光束A的出射方向用于将参考光束A的发射光方向旋转90度后入射至图像传感器M;或者所述的反射镜设置在光束B的出射方向的发射光方向旋转90度后入射至成像系统。

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